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发明名称 FABRICATION METHOD OF MOSFET
摘要
申请公布号 KR0142886(B1) 申请公布日期 1998.08.17
申请号 KR19900008486 申请日期 1990.06.09
申请人 LG SEMICONDUCTOR CO.,LTD 发明人 PARK, SUNG-HWEE
分类号 H01L21/34;(IPC1-7):H01L21/34 主分类号 H01L21/34
代理机构 代理人
主权项
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