| 摘要 |
<p>Der Halbleiterkörper weist ein Halbleitersubstrat (10) auf, auf welchem eine erste Oxidschicht (14), eine darüberliegende Halbleiterschicht (16) und eine wiederum darüberliegende zweite Oxidschicht (18) angeordnet ist. In einem Kontaktlochbereich werden diese zur Kontaktierung des Halbleitersubstrates (10) von einer ersten Metallisierungsschicht (24) durchdrungen. Auf der ersten Metallisierungsschicht (20) ist eine phosphordotierte Oxidschicht (22) aufgebracht, wodurch verhindert wird, daß mobile Ionen in die erste Oxidschicht (14) eindringen und die Spannungsfestigkeit/Driftrobustheit von im Halbleiterkörper integrierten Bauelementen vermindert wird.</p> |
