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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Einzelsubstraten aus einem Silizium-Halbleiterwafer
摘要
申请公布号 DE69409387(T2) 申请公布日期 1998.08.13
申请号 DE19946009387T 申请日期 1994.10.24
申请人 NAOETSU ELECTRONICS CO., KUBIKI, NAKAKUBIKI, NIIGATA, JP 发明人 AKATSUKA, TAKESHI, NAKAKUBIKI-GUN, NIIGATA-KEN, JP;SATO, TSUTOMU, JOETSU-SHI, NIIGATA-KEN, JP
分类号 B28D5/00;H01L21/225;H01L21/304;(IPC1-7):H01L21/304 主分类号 B28D5/00
代理机构 代理人
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