发明名称 半导体产品的制造工艺
摘要 提供一种生产半导体产品的工艺,包括下列步骤,把膜粘接到具有多孔半导体层的衬底上,通过在剥离方向对膜施加力,在多孔半导体层从衬底上剥离该膜。
申请公布号 CN1190248A 申请公布日期 1998.08.12
申请号 CN97107286.8 申请日期 1997.12.18
申请人 佳能株式会社 发明人 坂口清文;米原隆夫;西田彰志;山方宪二
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 付建军
主权项 1.一种生产半导体产品的工艺,包括粘接膜到具有多孔半导体层的衬底上,然后,通过在剥离方向给膜施加力,在多孔半导体层从衬底剥离该膜。
地址 日本东京