Method for coating a surface

摘要

Bei der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD = Chemical Vapour Deposition) ergibt sich häufig das Problem, daß in der Reaktionskammer noch ein aggressives Gas von dem vorhergehenden Schichterzeugungsprozeß vorhanden ist. Dieses aggressive Gas kann ein Rückstand eines der zur Schichterzeugung verwendeten Prozeßgase oder eines der durch die Reaktion der Prozeßgase entstehenden Restgase sein. Durch das aggressive Gas kann es auf der Oberflächen des Halbleiterprodukts zu unerwünschten Reaktionen kommen, die das Halbleiterprodukt beschädigen. Zur Lösung dieses Problems wird ein Verfahren zur Schichterzeugung auf einer Oberfläche bereitgestellt, bei dem vor und/oder bei dem Aufheizen der Oberfläche auf die Reaktionstemperatur zumindest ein Schutzgas zu der Oberfläche geführt wird. Durch das Schutzgas wird einerseits das noch in der Reaktionskammer verbliebene aggressive Gas verdünnt, andererseits adsorbiert ein Teil des Schutzgases an der kalten Oberfläche, so daß es an der Oberfläche bevorzugt zu Reaktionen von dem aggressiven Gas mit dem Schutzgas kommt und die Oberflächenschichten selbst somit im wesentlichen unbeschädigt bleiben. <IMAGE>