| 主权项 |
1.一种光学记录介质,包括一基层板,一反射层和一 记录 层,其中此记录层主要是由一种或多种式(I)的染料 所组 成:(I)其中R1,R2,R6和R7互不相关的分别为氢,C1- C20烷基,C2-C20烯基或C2-C20炔基,或C7-C9芳烷基,但 R1及R6和R2及R7不是每一个同时被氢所取代的,及其 中R1 及R2和R6及R7互不相关分离的(每一次两个一组),或 假使 其包含一可取代位置,可经由一直接键,或一架桥 基-O- 或-NR12-连接在一起,在共同分享N+的情怳下形成一 五- 或六-元杂环基;R3,R4,R8和R9互不相关的分别为氢, 卤素,OR17,SR17,NO2,NR18R19或C1-C20烷基,R1和R3 ,R2和R4,R6和R8及R7和R8互不相关分离的(每一次两个 一组),或假使两者在每一种情况下包含至少一可 取代位 置,经由一直接键,或一架桥基-O-或-NR12-连接在一 起 ,在共同分享C-C=N+,C=C-N或C-C-N的情况下形成 一五-或六-元杂环基;R5和R10是氢;R11是C6-C14芳基 ,其是未经取代的,或经由下列群基取代一次或多 次的: 卤素,NO2,CN,NR24R25,SO3-,SO3R24,SO2NR24R25, COO-,(CH2)kOR24,(CH2)kOCOR24,COOR24,CONR24R25 ,OR24,SR24,PO3-,PO(OR24) (OR25)或SiR21R22R23; R12,R13,R17,R18,R19,R20,R24和R25互不相关的分 别为氢,C1-C20烷基,C2-C20烯基,C2-C20炔基或C7-C9 芳烷基,或是C6-C14芳基,其是未经取代的或经由C1-C8 烷基,C1-C8烷氧基,C1-C8烷基硫,卤素,NO2,CN,NH2 ,NHR21,NR21R22,SO3-,SO3R23,SO2NH2,SO2NHR21, SO2NR21R22,COO-,COOR23,CONH2,CONHR21, CONR21R22,PO3-,PO(OR21)(OR22)或SiR14R15R15取代一 次或多次的,或NR12R13,NR18R19,NR21R22或MR24R25是 一五-或六-元杂环,其可能另外含有N或O原子,且是 由 C1-C8烷基取代一次或多次的;R14,R15,R16,R21,R22 和R23互不相关的分别为C1-C20烷基,C2-C20烯基,C2- C20炔基或C7-C18芳烷基;Y是一无机,有机或有机金属 阴 离子,选自氟化物、氯化物、溴化物、碘化物、过 氯酸盐 、过碘酸盐、碳酸盐、碳酸氢、硫酸盐、硫酸氢 、单C1- C20烷基硫酸盐、磷酸盐、磷酸氢、磷酸二氢、四 氟硼酸 盐、六氟锑酸盐、乙酸盐、乙二酸盐、甲烷磺酸 盐、三氟 化甲烷磺酸盐、甲苯磺酸盐、甲基硫酸盐、酚酸 盐、苯甲 酸盐及电负电的金属复合物,或其混合物;Z是一质 子或 金属阳离子,铵阳离子或鏻阳离子,或其混合物;m,n 和 o互不相关的分别为一从1至3的整数;及p和q分别是0 至4 的整数,其中o,p和q之间的关系是依据相关次结构 的的 带电数而定,如此在式(I)化合物中没有超过的正或 负电 荷。2.如申请专利范围第1项之记录介质,其中R3和R 8互不相 关的分别为氢,卤素,OR17,NO2或C1-C20烷基;R4和R9 互不相关的分别为氢,卤素,NO2,OR17或C1-C20烷基; 及R1和R3,R2和R4,R6和R8及R7和R9互不相关的分别成对 分离的,或假使在每一情况下两者皆包含至少一可 取代位 置,能经由一直接键而连结至另一群基,在共享C-C=N ,C=C-N或C-C-N的情况下形成一五-或六-元杂环; R11是基或苯基,其是未经取代的或经由卤素,NO2, NR24R25,SO3-,SO3R24,SO2NR24R25,(CH2)k OR24, COO-,COOR24,CONR24R25或OR24取代一次或多次的;R17 ,R19,R24和R25互不相关的分别为氢或未经取代的C1- C20烷基,C2-C20烯基,C2-C20炔基或C7-C18芳烷基;及o 是一1或2的整数。3.如申请专利范围第2项之记录 介质,其中:R1,R2,R6 和R7互不相关的分别为未经取代的C1-C20烷基,R1和R2 , 及R6和R7互不相关的分别成对分离的,或能经由一 直接键 或经由架桥基-O-或-NR12-连结至另一群基,在共享N+ 情 况下形成一五-或六-元杂环;R3,R4,R8和R9互不相关 的分别为氢或未经取代的C1-C20烷基,R1和R3,R2和R4, R6和R8及R7和R9互不相关的分别成对分离的,或经由 一直 接键连结至另一群基,在共享群基C-C=N+,C=C-N或C -C-N的情况下形成一五-或六-元杂环;R5和R10是氢 ;R11是基或苯基,其是未经取代的或经由卤素,NO2, SO3-,SO3R24,SO2NR24R25,COO-,COOR24或CONR24R25 取代一次或多次的;R12是氢或未经取代的C1-C4烷基; 及 R24和R25互不相关的分别为氢或未经取代的C1-C20烷 基。4.如申请专利范围第1项之记录介质,其中Ym-是 一过渡金 属复合物阴离子,包含至少一酚或苯基羧酸偶氮化 合物当 作配位基,m是一1或2的整数,及p是0至2的数。5.如申 请专利范围第1项之记录介质,其中Z是一质子或金 属阳离子,或铵阳离子,n是1或2的整数,及q是从0至3 的 数。6.如申请专利范围第4项之记录介质,其中:Ym- 是一下式 (II)的过渡金属阴离子,[(L1)M(L2)m- (II)其中L1 和2互不相关的分别为下式的配位基,或其中R26,R27, R28和R29互不相关的分别为氢,卤素,R30,NO2, NR30R31,NHCO-R30,SO2-R30,SO2NH2,SO2NH-R30, SO2NR30R31,SO3-或SO3H,其中R30和R31互不相关的分别 为未经取代的或羟基-,卤素-或C1-C6烷氧基-取代的C 1- C12烷基;及M是Cr3+,或Co3+。7.如申请专利范围第1项 之记录介质,其中Zn+是[ NH2R32R33]+,其中R32是氢或C1-C12烷基,及R33是C1- C24烷基或C7-C24芳烷基及R32和R33一起具有8至25个碳 原 子。8.如申请专利范围第1项之记录介质,其中m,n和 o分别是 l,p是O至2.5的数,及q是0至1.5的数,o且和q的和相同 于p,如此在式(II)中没有超过的正或负电荷。9.如 申请专利范围第1项之记录介质,其中式(I)是:若丹 明B(rhodamine B),硫代若丹明B单钠盐(sulforhodamine B monosodium salt)10.如申请专利范围第1项之记录介质 ,其中式(I)染料在 乙醇溶液中,于540nm至610nm间具有最大吸收,且在600 至700nm的范围内具有折射指数2.0至 3.0。11.如申请专利范围第1项之记录介质,其中该 基层板具有 透明度至少90%,及厚度0.01至10mm。12.如申请专利范 围第11项之记录介质,其中该基层板具 有厚度0.1至5mm。13.如申请专利范围第1项之记录介 质,其中该反射层主要 由铝,银,铜,金或其合金所组成,且具有反射率至少 70 %和厚度10至150nm。14.如申请专利范围第1项之记录 介质,其中该记录层是位 在透明基层板和反射层间,且具有厚度从10至1000nm 。15.如申请专利范围第14项之记录介质,其中该记 录层具 有厚度从80至150nm。16.如申请专利范围第1项之记 录介质,其最顶层具有一额 外保护层,厚度为从0.1至1000m。17.如申请专利范 围第16项之记录介质,其中一第二基层 被安排在该额外保护层之上。18.如申请专利范围 第17项之记录介质,其中该第二基层 厚度为从0.1至5mm,且主要是由相同于支撑基层板的 物质 所组成。19.如申请专利范围第16项之记录介质,其 中该保护层具 有厚度从0.5至15m。20.如申请专利范围第1项之记 录介质,具有反射率至至少 60%。21.如申请专利范围第1项之记录介质,其中在 记录层和反 射层及/或记录层和基层板间另外至少有一由介电 物质所 组成的干扰层。22.一种光学记录、贮存和再生资 料的方法,其使用一如 申请专利范围第1项之记录介质。23.如申请专利范 围第22项之方法,其中记录和再生是在波长从600至 700nm的范围内发生。 |
