| 发明名称 |
HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10209434(A) |
申请公布日期 |
1998.08.07 |
| 申请号 |
JP19970010256 |
申请日期 |
1997.01.23 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
SUEMITSU TETSUYA;ENOKI TAKATOMO |
| 分类号 |
H01L29/812;H01L21/285;H01L21/306;H01L21/335;H01L21/338;H01L21/8252;H01L27/06;H01L29/423;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/778 |
主分类号 |
H01L29/812 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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