发明名称 SEMI-CONDUCTOR LASER COMPONENT
摘要 Halbleiterlaser-Bauelement mit einem zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung geeigneten Halbleiterkörper mit SCH-Aufbau, bei dem eine zwischen einer ersten äusseren Deckschicht eines ersten Leitungstyps und einer zweiten äusseren Deckschicht des ersten Leitungstyps angeordnete aktive Schichtenfolge mit einer Quantentrogstruktur vorgesehen ist. Zwischen der aktiven Schichtenfolge und der zweiten äusseren Deckschicht ist eine erste entartete Übergangsschicht eines zweiten Leitungstyps und eine zweite entartete Übergangsschicht des ersten Leitungstyps vorgesehen.
申请公布号 WO9834307(A1) 申请公布日期 1998.08.06
申请号 WO1998DE00264 申请日期 1998.01.29
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;LANDWEHR, GOTTFRIED;KEIM, MARKUS;REUSCHER, GUENTER;LITZ, THOMAS;BARON, THIERRY;FISCHER, FRANK;LUGAUER, HANS-JUERGEN 发明人 LANDWEHR, GOTTFRIED;KEIM, MARKUS;REUSCHER, GUENTER;LITZ, THOMAS;BARON, THIERRY;FISCHER, FRANK;LUGAUER, HANS-JUERGEN
分类号 H01S5/042;H01S5/30;H01S5/343;(IPC1-7):H01S3/19 主分类号 H01S5/042
代理机构 代理人
主权项
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