发明名称 | 半导体存储器 | ||
摘要 | 在现有的半导体存储器中,当选择线固定在低电位时,必须在存储器阵列内重新配置电源线Vss,存在出现浪费的问题。具有配置在低电位电源线24和选择线16之间的N型晶体管26,低电位电源线24与读出放大器22连接,读出放大器22与连接到存储单元的位线对21连接并将位线对21的微小电位放大,选择线16通过译码器15来选择存储单元,还具有以选择线激活信号和SA激活信号作为输入的控制电路27,控制电路27的输出与N型晶体管26的栅极连接。 | ||
申请公布号 | CN1189673A | 申请公布日期 | 1998.08.05 |
申请号 | CN97118413.5 | 申请日期 | 1997.09.04 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 田中信二 |
分类号 | G11C11/40 | 主分类号 | G11C11/40 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1、一种半导体存储器,具有为了选择存储器阵列而连接的多条选择线,其特征在于,包括:由第1信号激活并选择上述选择线的译码器;与低电位电源线和连接到存储单元的位线连接的、同时由第2信号激活后将位线的电位放大的读出放大器;配置在与该读放大器连接的低电位电源线和选择线之间的、由第1信号和第2信号的任何一方或两方控制的、将选择线固定在低电位的开关元件。 | ||
地址 | 日本东京都 |