| 发明名称 | 半导体激光器及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体激光器含有一个活性层和一对包层,这对层形成得把该活性层夹在它们中间。该半导体激光器还被提供有一个条带结构,使活性层的载流子注入区具有沿腔方向的条带形状。条带结构结构宽度的设定使得在腔发射端面处的值W1和在发射端面的对侧端面处的值W2满足关系W1<W2,并且该宽度沿着腔方向从值W2减小到值W1,值W2约为2μm或较大。 | ||
| 申请公布号 | CN1189927A | 申请公布日期 | 1998.08.05 |
| 申请号 | CN97190432.4 | 申请日期 | 1997.04.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 木户口勲;足立秀人;熊渕康仁;鬼头雅弘;夈雅博 |
| 分类号 | H01S3/18 | 主分类号 | H01S3/18 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
| 主权项 | 1、一种半导体激光器，包括：一个由AlGaInP型材料构成的活性层；以及一对把该活性层夹在其间的包层，其中还设置了一个条带结构，用来使活性层的截流子注入区在腔方向上具有条带形状，并且该条带结构的宽度设定使得在腔发射端面处的值W1和在发射端面的对侧端面处的值W2满足关系W1＜W2，并且该宽度沿着腔方向从值W2减小到值W1，W2的值约为2μm或较大。 | ||
| 地址 | 日本大阪 | ||