| 发明名称 | 半导体器件用的绝缘薄膜 | ||
| 摘要 | 在采用包含具有Si－H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时,CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si－H结合体的数量设定为0.6×10<SUP>21</SUP>cm<SUP>－3</SUP>或更少,从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外,通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×10<SUP>21</SUP>cm<SUP>－3</SUP>或更高可以提高抗湿性。 | ||
| 申请公布号 | CN1189920A | 申请公布日期 | 1998.08.05 |
| 申请号 | CN97190416.2 | 申请日期 | 1997.04.22 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 园田真久;首藤晋;田中米洼;伊高利昭;角田弘昭;荒木仁 |
| 分类号 | H01L23/532;H01L23/29 | 主分类号 | H01L23/532 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种具有借助采用包含具有Si-H结合体的气体作为材料气体通过CVD所生成的绝缘薄膜的半导体器件，其特征在于绝缘薄膜中的Si-H结合体的数量为0.6×1021cm-3或更少。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||