| 发明名称 | 在同一衬底上具有N和P型场效应晶体管的半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种制造半导体器件的方法,其步骤为:在第一导电类型半导体衬底的所有将形成高压和低压MOS晶体管的区中形成第二导电类型第一阱区;形成使第一阱区彼此隔离的隔离层,形成第一导电类型的高压阱区和第一和第二导电类型的低压阱区,在高压和低压阱区上形成MOS晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1189694A | 申请公布日期 | 1998.08.05 |
| 申请号 | CN97122098.0 | 申请日期 | 1997.12.22 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 市川俊彦 |
| 分类号 | H01L27/092;H01L21/8238 | 主分类号 | H01L27/092 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：(a)第一导电类型的半导体衬底(101，201)，(b)形成于所述半导体衬底上的第一低压MOS晶体管(52)，(c)形成于说半导体衬底(101，201)上的第一导电类型的第二高压MOS晶体管(52)，(d)形成于所述半导体衬底(101，201)上的第二导电类型的第三高压MOS晶体管(54)，其特征在于，含有所述第三MOS晶体管(54)的沟道区的第一导电区(110A，210A)和含有所述第二MOS晶体管(53)的延伸漏区的第二导电区(110B，210B)与所述半导体衬底(101，201)电隔离。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||