| 发明名称 |
MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE OF MULTI-LAYERED WIRING STRUCTURE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10199975(A) |
申请公布日期 |
1998.07.31 |
| 申请号 |
JP19960358673 |
申请日期 |
1996.12.27 |
| 申请人 |
NITTETSU SEMICONDUCTOR KK |
发明人 |
TOGANO YOSHIAKI;KOMATSUZAKI HIROYUKI;KUROSE ATSUSHI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;(IPC1-7):H01L21/768;H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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