一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法

摘要

一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法,特别是适用于生长钕钡铜氧单晶体籽晶的制造。其特征在于:配料原料中含钕、钡、铜的比例(克原子比)为Nd∶Ba∶Cu=1∶(2+x)∶3,其中x=0.2～0.8;晶体生长过程是将压块后的混合料块加热在富钡条件下,进行包晶反应,熔化生长晶体。本发明采用富钡原料配比,直接将配制好料块进行熔融生长热处理,不需要坩埚和其它的籽晶及机械系统,在普通的烧结炉中即可完成晶体生长过程,操作简单,经济可靠。

主权项

1.一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法，包括将Nd2O3、BaCO3、CuO原料粉末混合、煅烧、研磨配制粉料，混合粉料压块，晶体生长，晶体分离过程，其特征在于：a.制备混合粉末时配料原料中含钕、钡、铜的比例(克原子比)为Nd∶Ba∶Cu＝1∶(2+x)∶3，其中x＝0.2～0.8；b.晶体生长过程是将压块后的混合料块加热在富钡条件下，进行包晶反应，熔融生长晶体，工艺过程及条件为：将混合料块加热至940℃，恒温烧结10～24小时；再升温到1150℃～1200℃，保温0.5～3小时；然后将温度降至1070℃～1090℃，其降温速率为50℃～180℃/小时；再将温度降至980℃～1040℃，其降温速率为0.5℃～3℃/小时；然后将温度降至室温，其降温速率为120℃～300℃/小时降至室温；c.其生长单晶体的分离是在室温下，从反应后的混合料块中，由料块自动破碎而与其分离的。