| 发明名称 | 集成电路装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种集成电路装置,它包括(i)衬底;(ii)位于衬底上的金属电路线和(iii)位于电路线附近的电介质材料。电介质材料包括有机聚硅氧烷和最好被烷氧基甲硅烷基烷基封端的聚酰胺酸酯的反应产物。 | ||
| 申请公布号 | CN1188987A | 申请公布日期 | 1998.07.29 |
| 申请号 | CN97119674.5 | 申请日期 | 1997.09.26 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 胡夫·拉尔夫·布朗;肯那斯·莱蒙德·卡特;查雨勤;里查德·安托尼·蒂皮乔;詹姆斯·露普顿·赫吉克;约翰·帕吉克·胡迈尔;罗伯特·丹尼斯·米勒;杜永阳 |
| 分类号 | H01L27/105;H01B3/18;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种集成电路装置，包括：(a)衬底；(b)位于衬底上的金属电路线，和(c)位于电路线附近的电介质组合物，该组合物包括有机聚硅氧烷和被(RO)m(R″)nSiR′-封端的聚酰胺酸酯的反应产物，式中R和R′分别是烃基；R″是氢或烃基；m是1，2或3以及n+m＝3。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||