在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率

摘要

一种用于清洗硅体和可控地降低覆盖在硅基底上的二氧化硅层厚度的方法。该方法包括在超声场的存在下,使用稀释的蚀刻剂化学蚀刻二氧化硅层。蚀刻剂的浓度小于给定的温度下的扩散速率限制极限浓度。当使用含水碱性氢氧根离子蚀刻剂时,蚀刻剂相对于水重量的浓度优选小于约300ppm。在硅基底暴露给蚀刻剂之前中止蚀刻。蚀刻速率被控制在约2×10^-5λm/min的目标蚀刻速率内,目标蚀刻速率在约3×10^-5λm/min和约4×10^-4λm/min之间变化。这样得到一种简单的、花费低廉的用于清洗硅体或用于生产非常薄的栅氧化层的化学方法。

主权项

1、一种降低覆盖在硅基底上的二氧化硅层的厚度的方法，该方法包括：在超声场的存在下，使用蚀刻剂化学蚀刻二氧化硅层，蚀刻剂的浓度小于二氧化硅层被蚀刻时的温度下的扩散速率限制极限浓度；和在硅基底暴露给蚀刻剂之前中止蚀刻。