半导体存储器

摘要

本发明揭示一种半导体存储器,包括将二极管(1)、(2)与单元板极线(30)、(40)上。因此,在进行再写入动作的场合,即使例如寄生电阻(3)存在于单元板极线(39),也能防止在成为数据丢失原因的单元板极线(39)暂时地转移到过渡的负电压(例如－1V以下)的过渡现象的发生。这种非易失性的半导体存储器在进行再写入动作的场合不会丢失存储器单元的逻辑电压“L”的数据、能进行稳定的动作。

主权项

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：利用强电介质构成的强电介质电容器；分别设置单个或者多个所述强电介质电容器的利用所述强电介质的极化状态对信息进行存储的多个存储器单元；用于选择所述存储器单元的、与所述存储器单元连接的字线；在从被选择的所述存储器单元读出所述信息时使用的、与所述存储器单元相连的数据线；在所述信息的读出和再写入中使用的、与所述存储器单元相连的单元板极线；和在对于所述强电介质电容器进行所述再写入的动作时，使施加在所述单元板极线上的电压稳定的稳压手段。