| 摘要 |
<p>Zur Herstellung eines Siliziumkondensators werden in einem Siliziumsubstrat (1) Lochstrukturen (2) erzeugt, an deren Oberfläche durch Dotierung ein leitfähiges Gebiet (3) erzeugt wird und deren Oberfläche mit einer dielektrischen Schicht (4) und einer leitfähigen Schicht (5) versehen wird, ohne die Lochstrukturen (2) aufzufüllen. Um durch die Dotierung des leitfähigen Gebietes (3) bewirkte mechanische Verspannungen des Siliziumsubstrates (1) zu kompensieren, wird auf der Oberfläche der leitfähigen Schicht (5) eine konforme Hilfsschicht (6) gebildet, die unter einer kompressiven mechanischen Spannung steht.</p> |
