Verfahren zur lokalen Oxidation von Silicium unter Verwendung einer Ionen- und Diffusions-Sperrschicht,申请号DE19934307580-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur lokalen Oxidation von Silicium unter Verwendung einer Ionen- und Diffusions-Sperrschicht
摘要
申请公布号	DE4307580(C2)	申请公布日期	1998.07.23
申请号	DE19934307580	申请日期	1993.03.10
申请人	MICRON TECHNOLOGY, INC., BOISE, ID., US	发明人	DOAN, TRUNG TRI, BOISE, ID., US;SANDHU, GURTEJ SINGH, BOISE, ID., US
分类号	H01L21/316;H01L21/32;H01L21/76;H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762	主分类号	H01L21/316
代理机构		代理人
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