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发明名称 Verfahren zur Herstellung von heteroepitaxischen dünnen Schichten und elektronischen Bauelementen
摘要
申请公布号 DE69319169(D1) 申请公布日期 1998.07.23
申请号 DE1993619169 申请日期 1993.04.02
申请人 THOMSON-CSF, PARIS, FR 发明人 PRIBAT, DIDIER, F-92402 COURBEVOIE CEDEX, FR;GERARD, BRUNO, F-92402 COURBEVOIE CEDEX, FR
分类号 H01L21/02;C30B25/18;H01L21/20;H01L21/203;H01L21/205;H01S5/02;H01S5/32;H01S5/323;(IPC1-7):C30B25/18 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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