Process for forming hole structures in a silicon substrate by electrochemical etching
摘要
Zur Bildung von Lochstrukturen in einem seitlich begrenzten Bereich (14) eines Siliziumsubstrates (11) durch elektrochemisches Ätzen wird die elektrochemische Ätzung außerhalb dieses Bereiches (14) durch elektrisches Abführen von Ladungsträgern über eine Diodenstruktur elektrisch unterdrückt. <IMAGE>
申请公布号
EP0854501(A2)
申请公布日期
1998.07.22
申请号
EP19970122579
申请日期
1997.12.19
申请人
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
GRUENING, ULRIKE, DR.;WENDT, HERMANN, DR.;LEHMANN, VOLKER, DR.
