| 发明名称 |
FAVRICATION METHOD OF MOSFET |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR0140719(B1) |
申请公布日期 |
1998.07.15 |
| 申请号 |
KR19950004718 |
申请日期 |
1995.03.08 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO.,LTD |
发明人 |
JEONG, IN-SUL |
| 分类号 |
H01L21/335;H01L21/336;H01L29/10;(IPC1-7):H01L21/335 |
主分类号 |
H01L21/335 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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