清洗金属污染的晶片基片同时保持晶片的光滑性的方法

摘要

通过将晶片基片表面与一种清洗水溶液接触清洗微电子晶片基片表面去除金属污染物同时保持晶片基片表面的光滑度,其中清洗水溶液含有无金属离子的碱性碱和具有上式的含有2至10个－OH基团的多羟基化合物:其中－Z－是－R－,－(R¹－O)_x－R²－,或,其中－R－,－R¹－,－R²－和－R³－是烯基,x是1—4的所有整数,y是1—8的所有整数,条件是多羟基化合物中的碳原子数不超过10,其中该水清洗溶液中的水含量至少约为清洗组合物的40%(重量)。

主权项

1.一种清洗微电子晶片基片表面去除金属污染物同时保持晶片基片表面光滑度的方法，所说的方法包括在足够能清洗晶片基片表面的温度下，将晶片基片表面与清洗组合物接触一段时间，所说的清洗组合物包含无金属离子的碱性碱和具有下式的含有2至10个-OH基团的多羟基化合物的水溶液：HO-Z-OH其中-Z-是-R-，-(R¹-C)_x-R²-，或，其中-R-，-R¹-，-R²-和-R³-是烯基，x是1-4的所有整数，y是1-8的所有整数，条件是多羟基化合物中的碳原子数不超过10，其中该水溶液中的水含量至少约为清洗组合物的40％(重量)。