| 摘要 |
<p>본 고안은 반도체 웨이퍼 증착장비의 가스공급장치에 관한 것으로, 종래에는 주변 온도의 영향으로 실리콘 소스 가스의 농도변화를 초래하여 에피텍셜의 성장율이 변화됨으로서 결정결함이 있는 에피텍셜 레이어를 얻게 되는 문제점이 있었다. 본 고안 반도체 웨이퍼 증착장비의 가스공급장치는 공정가스 공급라인의 단부에 증착장비로 공급되는 공정가스의 온도를 조절하기 위한 온도조절수단을 설치하여, 증착장비에 공급되는 기화된 공정가스의 온도를 가스 실린더에 수납된 액체가스 보다 낮게 유지시킴으로서, 가스 실린더의 소진율을 높이게 되고, 공정가스인 실리콘 소스 가스의 농도변화를 방지하게 되어 결정결함이 없는 양호한 에피텍셜 레이어를 얻는 효과가 있다.</p> |
