发明名称 | 动态型半导体存储器及其测试方法 | ||
摘要 | 本动态型半导体存储器及其测试方法能缩短测试时间。在通常方式中,将升压电压Vpp供给所选择的字线WL1。在测试方式中,将比Vpp电平低的电源电压Vcc供给所选择的字线WL1。因此,在测试方式中,写入存储单元25的高电平数据比在通常方式中写入存储单元25的高电平数据的电位低。因此,能缩短产生H→L错误的时间,能缩短测试时间。 | ||
申请公布号 | CN1187677A | 申请公布日期 | 1998.07.15 |
申请号 | CN97120024.6 | 申请日期 | 1997.10.10 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 安达幸信;沖本裕美;林越正纪 |
分类号 | G11C29/00 | 主分类号 | G11C29/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种动态型半导体存储器,其特征在于备有:多个存储单元和写入电压控制装置,上述多个存储单元排列成行及列的矩阵状,各存储单元分别保存高电平数据或低电平数据,上述写入电压控制装置在将上述高电平数据写入上述存储单元时、在通常方式下写入第1电平电压,在测试方式下写入比上述第1电平电压低的第2电平电压。 | ||
地址 | 日本东京都 |