| 摘要 |
본 고안은 액상반응원료의 기화장치에 관한 것으로, 특히 인젝트를 통해 분사된 용액성 반응원료가 초음파 진동자에 의한 진동으로 입자화시키는 입자화 영역과, 상기 입자화된 반응원료를 고온 열처리된 기화부재와 접촉시켜 순간적으로 기화시키는 기화영역과, 상기 기화영역과 입자화 영역의 사이에 위치하여 고온으로 가열된 기화영역으로부터 입자화 영역으로의 온도전달을 차단시키기 위한 열차단부로 구성되어, 반도체 소자 제조공정중 MOCVD 법에 의한 박막 증착시 용액성 반응원료를 박막형성이 용이하도록 기상으로 바꾸어 박막증착의 재현성을 달성할 수 있게 하여 반도체 소자의 제조수율을 향상시킬 수 있는 액상반응원료의 기화장치에 관한 것이다. |
