发明名称 반도체 제조장치
摘要 본 고안은 퍼난스의 도어 및 래어 양쪽에 가스를 주입하는 씨브이드 장치에 관한 것이며, 종래의 씨브이디 장치는 퍼난스의 가스가 주입되는 래어쪽과 가스가 주입되지 않는 도어쪽에 장착된 웨이퍼 위에 원하는 층이 증착되는 비율이 다른 문제점과, 원하는 층에 불순물 원자가 균일하게 도핑되지 않는 문제점이 있었다. 이와같은 문제점을 감안한 본 고안 퍼난스의 래어 및 도어 양쪽에 가스를 주입시키고, 가스주입구를 사용하여 주입되는 가스를 퍼난스의 안쪽까지 균일하게 주입하는 특징이 있다. 이와같은 특징의 본 고안은 퍼난스의 래어쪽과 도어쪽에 장착된 실리콘 웨이퍼 위에 원하는 층이 증착되는 비율이 같으며, 균일한 비율로 도핑된 원하는 측을 얻을 수 있는 효과가 있다.
申请公布号 KR19980021867(U) 申请公布日期 1998.07.15
申请号 KR19960035189U 申请日期 1996.10.24
申请人 null, null 发明人 조민구
分类号 H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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