| 主权项 |
1.一种带电射束描绘装置用孔口,其系使带电射束通过将所形成的图样复制在半导体基板上的带电射束描绘描绘装置用孔口,其特征为;上述孔径本体的衬底系对其厚度方向的中心面使两边侧为同样的构造。2.如申请专利范围第1项之带电射束描绘装置用孔口,其中上述本体的衬底系由矽基体、上述矽基体的两面上分别设置的中间层,及在上述中间层上分别设置的矽所构成。3.如申请专利范围第2项之带电射束描绘装置用孔口,其中上述两矽互为同一厚度,且上述两中间层也互为同一厚度。4.如申请专利范围第2项之带电射束描绘装置用孔口,其中上述中间层为氧化矽膜。5.如申请专利范围第3项之带电射束描绘装置用孔口,其中上述中间层为氮化矽膜。6.一种带电射束描绘装置用孔口,其系使带电射束通过而将所形成的图样复制在半导体基板上的带电射束描绘装置用孔口,其特征为;上述孔口本体的衬底构成为,使厚度方向中心面的两边侧之高温热处理时的影响能互相抵消般,用于抑制该高温热处理时所产生之翘曲。7.一种带电射束描绘装置用孔口的制造方法,为使带电射束通过而将所形成的图样复制在半导体基板上的带电射束描绘装置用孔口的制造方法,其特征为包含:准备对于厚度方向中心面其两边侧为同一构造的本体衬底之工程;在上述本体衬底的一方边侧形成为要复制到半导体基板上的图样之工程;以氮化矽膜覆盖全体的工程;藉使上述氮化矽膜形成图样而在上述本体衬底的另一边侧所选择的部份上,形成由氮化矽膜组成的光罩之工程、及藉以上述氮化矽膜罩作为遮罩而将上述本体的衬底自上述另一边侧蚀刻去除,来形成支持上述图样的支持体。8.如申请专利范围第7项之带电射束描绘装置用孔口,制造方法,其中上述本体的衬底系由矽基体、上述矽基体的两面上分别设置的中间层,及在上述中间层上分别设置的矽所构成,其中在上述一方矽形成了上述图样,由上述另一方矽、上述两中间层及上述矽基体形成了上述支持体者。图式简单说明:第1图为表示本发明实施形态之带电射束描绘装置用孔口制造工程程序的剖面图,第2图为依序表示继续第1图的工程之剖面图,第3图为例示本发明使用作为对象的带电射束描绘装置用孔口之带电射束描绘装置有关概要的剖面图,第4图为表示习知技术之带电射束描绘装置用孔口之制造工程的剖面图。 |
