| 主权项 |
1.种基板处理装置,其特征为备有:加热手段;设于上述加热手段内之反应管本体,具有于规定之第1方向,离开规定距离之第1气体导入部与气体排气部之上述反应管本体;设置于上述反应管本体内之基板固定具,在上述第1气体导入部与上述气体排气部间之上述反应管本体内,将被处理基板,包含上述被处理基板之主面对于上述第1方向与上述第1方向成直角之第2方向之第1平面约略平行状态可保持之上述基板固定具;设于上述加热手段内之气体加热管,具有沿着上述反应管本体所配设,具第2气体导入部与气体导出部,上述气体导出部为连通于上述反应管本体之上述第1气体导入部,流动于上述气体加热管内之气体,首先从上述第1气体导入部侧向上述气体排气部侧流动,其后折返而从上述气体排气部侧向上述第1气体导入部侧流动构造之上述气体加热管。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中上述反应管本体,对于上述第1方向之规定中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造,上述基板固定具,对于上述中心线放上述第2方向而实质上具有左右对称之构造,同时将上述被处理基板以对于上述中心线于上述第2方向约略可固定为左右对称,上述气体加热管,对于上述中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造。3.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述反应管本体,系具有对于上述第1方向约略成直角之第1侧板,与对于上述第1平面约略平行之顶板及底板,与对于上述第1方向约略成平行在上述第1平面约略成垂直之第2及第3侧板,上述第1气体导入部,为设于上述第1侧板,上述气体加热管,为沿着上述顶板,上述底板,上述第2侧板及上述第3侧板中之任一以上配设,上述气体加热管,为具有流动于上述气体加热管之气体,首先从上述第1气体导入部侧向上述气体排气部侧约略直线性地流动,其后折返而从上述气体排气部侧向上述第1气体导入部侧大致直线性地流动之构造。4.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述反应管本体,为具有对于上述第1方向大致成直角之第1侧板,与对于上述第1平面大致成平行之顶板及底板,与对于上述第1方向约略平行在上述第1平面约略垂直之第2及第3侧板,上述第1气体导入部,为设于上述第1侧板,上述气体加热管,为沿着上述第2侧板及上述第3侧板中之任一方或两方配设。5.如申请专利范围第4项之基板处理装置,其中上述气体加热管,为沿着上述第1侧板,上述第2侧板及上述第3侧板装设。6.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中上述气体加热管,系具有流动于上述气体加热管内之气体,为从上述第1气体导入部侧向上述气体排气部侧,分别沿着上述第2侧板及上述第3侧板流动,其后折返从上述气体排气部侧向上述第1气体导入部侧,再沿着上述第2侧板及上述第3侧板流动,其后沿着第1侧板流动之构造。7.如申请专利范围第6项之基板处理装置,其中上述气体加热管,系具有流动于上述气体加热管之气体,为首先沿着上述第1侧板从于上述第1侧板之上述第2方向之约略中央部,分别向上述第2侧板及上述第3侧板流动,其后从上述第1气体导入部侧,向上述气体排气部侧分别沿着上述第2侧板及上述第3侧板流动,其后折返从上述气体排气部侧,向上述第1气体导入部侧再沿着上述第2侧板及上述第3侧板流动,其后,沿着上述第1侧板流动之构造。8.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述气体加热管,为备有:沿替上述第2侧板配设于上述第1方向之第1及第2管;沿着上述第3侧板配设于上述第l方向之第3及第4管;沿着上述第1侧板配设于上述第2方向之第5管;以及气体导入管上述气体导入管,都连通于上述第1管之一端部及上述第3管之一端部,上述第1管之他端部为连通于上述第2管之一端部,上述第3管之他端部为连通于上述第4管之一端部,上述第2管之他端部为连通于上述第5管之一端部,上述第4管之他端部为连通于上述第5管之他端部,上述第5管为具有连通于上述第1气体导入部之上述气体导出部。9.如申请专利范围第8项之基板处理装置,其中上述气体加热管,再备有沿着上述第1侧板向上述第2方向配设之第6管,上述气体导入管,经由上述第6管皆连通于上述第1管之上述一端部及上述第3管之上述一端部。10.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述气体加热管,备有从上述第1气体导入部侧向上述气体排气部侧延伸,较上述被处理基板之上述气体排气部侧之端部,更前面侧折返而从上述气体排气部侧向上述第1气体导入部侧延伸之构造。11.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中上述气体加热管,具有从上述第1气体导入部侧向上述气体排气部侧延伸,在上述被处理基板之中央附近或较上述中央部,更前面侧折返从上述气体排气部侧向上述第1气体导入部侧延伸之构造。12.如申请专利范围第10项之基板处理装置,其中上述反应管本体,具有对于上述第1方向约略成直角之第1侧板,与对于上述第1平面约略成平行之顶板及底板,与对于上述第1方向约略成平行而对于上述第1平面约略垂直之第2及3侧板,上述第1气体导入部,为设于上述第1侧板,上述气体加热管,为沿着上述第2侧板及上述第3侧板之两方配设。13.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述反应管本体,具有对于上述第1方向约略直角之第1侧板,与对于上述第1平面约略平行之顶板及底板,与对于上述第1方向约略平行对于上述第1平面约略垂直之第2及第3侧板,上述第1气体导入部为设于上述第1侧板,上述气体加热管之上述气体导出部为沿着上述第1侧析装设,上述气体导出部,为具有对于上述第2方向约略平行地装设之复数之气体导出口。14.如申请专利范围第13项之基板处理装置,其中上述反应管本体为对于上述第1方向之规定中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造,上述基板固定具为对于上述中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造,同时将上述被处理基板对于上述中心线于上述第2方向约略可左右对称地固定,上述气体加热管为对于上述中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造,上述复数之气体导出口,对于上述中心线于上述第2方向实质上配设成左右对称。15.如申请专利范围第13项之基板处理装置,其中上述复数之气体导出口,为从上述第1侧板与上述第2侧板所形成之第1角部附近配设到上述第1侧板与上述第3侧板所形成之第2角部附近。16.如申请专利范围第13项之基板处理装置,其中上述反应管本体之上述第1气体导入部,为设于上述第1侧板之开口部而具有露出上述复数之气体导出口之上述开口部。17.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述反应管本体,具有对于上述第1方向约略成直角之第1侧板,与对于上述第1平面约略成平行之顶板及底板,与对于上述第1方向约略成平行而对于上述第1平面约略成垂直之第2及第3侧板,上述第1气体导入部为设于上述第1侧板,上述第1气体导入部为具有在上述第1侧板对于上述第2方向约略平行地装设之复数气体导入口。18.如申请专利范围第17项之基板处理装置,其中上述反应管本体为对于上述第1方向之规定中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造,上述基板固定具为对于上述中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造同时将上述被处理基板对于上述中心线于上述第2方向约略可固定为左右对称,上述气体加热管为对于上述中心线于上述第2方向实质上具有左右对称之构造,上述复数之气体导入口为对于上述中心线于上述第2方向实质上配设为左右对称。19.如申请专利范围第17项之基板处理装置,其中上述复数之气体导入口,从上述第1侧板与上述第2侧板所形成之第1角部附近配设到上述第1侧板与上述第3侧板所形成之第2角度附近。20.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述反应管本体为略呈直方体,上述反应管本体,具有对于上述第1方向约略成直角之第1侧板,与对于上述第1平面约略平行之顶板及底板,与对于上述第1方向约略平行对上述第1平面约略垂直之第2及第3侧板,与在与上述第1侧板之相反侧与上述第1方向约略直角地装设之第4侧板,上述第1气体导入部为设于上述第1侧板,在上述第4侧板设有上述气体排气部。21.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述气体加热管为固定于上述反应管本体。22.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述基板处理装置为热墙型之基板处理装置。23.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述反应管本体,为可固定1片或少数片之上述被处理基板之构造之反应管本体。24.如申请专利范围第1项或第2项之基板处理装置,其中上述被处理基板为半导体晶圆。25.一种基板处理装置,其系热墙型之基板处理装置,特征为备有:加热手段;设于上述加热手段内之反应管本体,其系具有;于规定之第1方向离开规定距离之第1气体导入部及气体排气部;对于上述第1方向约略直角之第1侧板而具有上述第1气体导入部之上述第1侧板;包含对于上述第1方向与上述第1方向约略直角之第2方向对于第1平面约略平行之顶板与底板;对于上述第1方向约略平行而对于上述第1平面约略垂直之第2及第3侧板;设置于上述反应管本体内之基板固定具,在上述第1气体导入部与上述气体排气部间之上述反应管本体内,将被处理板把上述被处理基板主面对于上述第1平面约略平行状态下可固定之上述基板固定具;以及设于上述加热手段内之气体加热管,沿替上述第2侧板及上述第3侧板中之任一方或两方配设,具有第2气体导入部与气体导出部,上述气体导出部为连通于上述反应管本体之上述第1气体导入部之上述气体加热管。26.如申请专利范围第25项之基板处理装置,其中上述气体加热管为沿着上述第1侧板配设。27.如申请专利范围第25项或第26项之基板处理装置,其中上述加热手段为面向于上述顶板及上述底板之至少一方所装设。图式简单说明:第1图系用来说明本发明之第1及第2实施形态之基板处理装置所用之部分截断平面图。第2图系第1图之X2-X2线剖面图。第3图系第1图之A部之部分放大图。第4图系第3图之X4-X4线剖面图。第5图系第3图之X5-X5线剖面图。第6图,第7图系用来说明本发明之第1实施形态之基板处理装置所使用之反应管所用之斜视图。第8图系用来说明本发明之第2实施形态之基板处理装置所使用之反应管所用之图,第1图之A部之部分放大图。第9图系第8图之X9-X9线剖面图。第10图系第8图之X1O-X10线剖面图。第11图系用来说明本发明之第3实施形态之基板处理装置所使用之平面图,将半导体晶圆搭载于晶圆载置板状态之图。第12图系第11图之X12-X12线剖面图,而表示将半导体晶圆搭载于晶圆载置板前状态之图。第13图,第14图系用来说明本发明之第3实施形态之基板处理装置而使用之反应管所用之斜视图,并且第15图系用来说明先行技术之基板处理装置所使用之反应管所用之平面图。 |
