| 主权项 |
1.一种包括以下各步骤为特征之半导体晶圆之制造方法,(1)用线锯将半导体铸块切断之切断步骤,(2)将切断之半导体晶圆脱离洗净之脱脂洗净步骤,(3)将经脱脂洗净之半导体晶圆油水分离洗净之油水分杂洗净步骤,(4)将经油水分离洗净之半导体晶圆洗濯之洗濯洗净步骤,(5)从经洗濯洗净之半导体晶圆表面藉由硷洗净将磨石粒除去之磨石粒除去洗净步骤,(6)将经磨石粒除去洗净之半导体晶圆自切片台剥离之剥离洗净步骤。2.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之制造方法,其特征在于使用含有0.5-3.0%之阴离子界面活性剂之硷性水溶液作为将磨石粒除去之硷性洗净之洗净液。3.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之制造方法,其特征在于将磨石粒除去之硷性洗净之洗净液之温度设定在50-9O℃。4.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之制造方法,其特征在于对至少从一洗净槽拉起之半导体晶圆吹气。5.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之制造方法,其特征在于在脱脂洗净及/或洗濯洗净一面起泡一面洗净。6.如申请专利范围第1项之半导体晶圆之制造方法,其特征在于在脱脂洗净及/或油水分离洗净时在处理时暂时将半导体晶圆拉起,将水中止以进行者。7.一种半导体晶圆之洗净装置,其特征在于乃由将经线锯切断之半导体晶圆脱脂洗净之脱脂洗净槽,进行经脱脂洗净之半导体晶圆表面之油水分离之油水分离洗净槽,将经油水分离之半导体洗濯之洗濯洗净槽,将经洗濯洗净之半导体晶圆以硷性洗净将磨石粒除去之磨石粒除去洗净槽,将磨石粒除去之半导体晶圆自碳制切片台剥离之剥离洗净槽,将半导体晶圆顺序搬送至各洗净槽之搬送装置,至少将自任一洗净槽拉起之半导体晶圆吹气之吹气装置所构成,而各洗净槽之处理乃以自动控制。8.如申请专利范围第7项之半导体晶圆之洗净装置,其特征在于设置从油水分离洗净槽内之洗净液将油脂成份分离除去之油脂成份去装置。9.如申请专利范围第8项之半导体晶圆之洗净装置,其特征在于该油脂成份除去装置为膜吸着方式之循环除去装置。图式简单说明:第1图为显示本发明之半导体晶圆之制造方法之流程图;第2图为显示本发明之半导体晶圆之洗净装置之示意图。 |
