| 主权项 |
1.一种半导体处理用涂布方法,主要系,为了在被处理基板上的被处理领域把涂布液涂布者,其特征为,具备:由用以将前述基板实际上支持成水平的支持装置一面把前述基板支持,而在前述基板之前述被处理领域,把前述涂布液的溶剂从溶剂供给口供给,把前述溶剂涂布在前述基板的前述被处理领域之预涂布工程;及前述预涂布工程后,一面把由前述支持装置支持的前述基板,和用以供给前述涂布液之涂布液供给口向第1方向相对地移动,由在前述基板的前述被处理领域把前述涂布液从前述涂布液供给口供给,而把前述涂布液涂布在前述被处理领域之主涂布工程。2.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,具有在前述本涂布工程后,由前述支持装置使前述基板在水平面内旋转之工程。3.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,具有在前述预涂布工程和前述主涂布工程之间,以前述支持装置使前述基板在水平面内旋转之工程。4.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,在前述预涂布工程,以前述支持装置使前述基板在水平面内旋转。5.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,在前述预涂布工程,具有把由前述支持装置支持的前述基板,和前述溶剂供给口一面相对地移动,由从前述溶制供给口向前述基板之前述被处理领域把前述溶剂供给,而在前述被处理领域涂布前述溶剂。6.如申请专利范围第5项之半导体处理用涂布方法,其中,在前述预涂布工程,把前述基板和前述溶剂供给口,向前述第1方向相对地移动。7.如申请专利范围第6项之半导体处理用涂布方法,其中,把前述预涂布工程及主涂布工程并行实施,此时,前述溶剂供给口及前述涂布液供给口,将一体地且对前述基板相对地移动,对前述基板之前述被处理领域使前述溶剂供给在比前述涂布液的前述第1方向之前方。8.如申请专利范围第7项之半导体处理用涂布方法,其中,把对前述基板的前述被处理领域之前述第1方向的两端部之前述溶剂的供给量,设定为比在其他部份之前述溶剂的供给量多。9.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,前述涂布液供给口,对前述第1方向垂直的前述被处理领域之宽度的实质性合体把前述涂布液一次地供给。10.如申请专利范围第6项之半导体处理用涂布方法,其中,前述溶剂供给口,将对前述第1方向垂直的前述被处理领域之宽度的实质性合体把前述溶剂一次地供给。11.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,前述溶剂系由在前述涂布液会有的溶媒实质上相同之材料而成。12.如申请专利范围第1项之半导体处理用涂布方法,其中,在前述主涂布工程,使前述基板的前述被处理领域和前述涂布液供给口之间的距离维持一定地,以察觉器检出前述被处理领域之垂直方向位置,同时根据检出结果调整前述涂布液供给口之位置。13.如申请专利范围第12项之半导体处理用涂布方法,其中,使前述察觉器和前述涂布液供给口,一体地且对前述基板相对地移动,前述由察觉器检出的前述基板之前述被处理领域上的位置,将配置在比供给前述涂布液之位置在前述第1方向之前方。14.一种半导体处理用涂布装置,主要系,为了涂布液涂布在被处理基板上的被处理领域之半导体处理用涂布装置,其特征为,具有:为了把前述基板实质上支持为水平的支持装置;和为了把前述涂布液的溶剂供给支持在前述支持装置之前述基板的前述被处理领域之溶剂供给口;和为了把前述涂布液供给支持在前述支持装置的前述基板之前述被处理领域的涂布液供给口;及为了把支持在前述支持装置的前述基板,和前述涂布液供给口向第1方向相对地移动之第1移动装置。15.如申请专利范围第14项之半导体处理用涂布装置,其中,前述支持装置能够使前述基板在水面内旋转。16.如申请申利范围第14项之半导体处理用涂布装置,其中,具有为了把由前述支持装置支持的前述基板,和前述溶剂供给口相对地移动之第2移动装置。17.如申请专利范围第16项之半导体处理用涂布装置,其中,为了把前述基板和前述溶剂供给口,向前述第1方向相对地移动,共有前述第1及第2移动装置共同之移动构件。18.如申请专利范围第17项之半导体处理用涂布装图,其中,前述溶剂供给口及前述涂布供给口,将由前述移动构件,一体性且对前述基板相对地移动,前述溶剂会对前述基板的前述被处理领域,比前述涂布液供给在前述第1方向之前方。19.如申请专利范围第18项之半导体处理用涂布装置,其中,具有为了使前述溶剂对前述基板的前述被处理领域之第1方向的两端部之供给量,会设定成比在其他部份的前述溶剂之供给量多的装置。20.如申请专利范围第14项之半导体处理用涂布装置,其中,前述涂布液供给口,将对前述第1向垂直的前述被处理领域之宽度的实质上合体把前述涂布液一次地供给。21.如申请专利范围第17项之半导体处理用涂布装置,其中,前述溶剂供给口,将对前述第1方向垂直的前述被处理领域之宽度的实质上全体把前述溶剂一次地供给。22.如申请专利范围第14项之半导体处理用涂布装置,其中,前述溶剂系由和前述涂布液会有的溶媒实质上相同之材料而成。23.如申请专利范围第14项之半导体处理用涂布装置,其中,具有检出前述被处理领域的垂直方向位置之察觉器,和把前述基板的前述被处理领域与前述涂布液供给口之间的距离维持一定地,根据前述察觉器之检出结果调整前述涂布液供给口的位置之装置。24.如申请专利范围第23项之半导体处理用涂布装置,其中,前述察觉器和前述涂布液供给口,将一体地且对前述基板相对地移动,由前述察觉器检出的前述基板之前述被处理领域上的位置,会配置在比供给前述涂布液之位置在前述第1方向之前方。图式简单说明:图1为显示关于本发明的实施形态之涂布装置的概略斜视图。图2为图1所示之涂布装置的概略构成图。图3为显示图1所示之涂布装置的喷嘴待命部之截面图。图4为显示关于本发明的其他实施形态之涂布装置的主要部份之概略侧视图。图5系为了说明图4所示的构造之作用的放大图。图6A、B为显示构成用以供给涂布液及溶剂的喷嘴之移动梁的不同之变更例的截面图。图7为将图1所示之涂布装置编入的涂布及显影处理系统之全体概略显示的斜视图。图8为显示在习知之光致抗蚀剂膜形成方法的光致抗蚀剂膜厚之分布的图表。 |
