| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素,介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及在氧化性空气中进行第2之加热处理,去除或减少存在于该结晶性矽膜中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该热氧化膜之领域之表面上,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程。2.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素,介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及在氧化性空气中进行第2之加热处理,在该结晶性矽膜之表面形成热氧化膜,于该热氧化膜介经吸气(gettering)以去除或减少存在于该结晶性矽膜中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该热氧化膜之领域之表面上,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程。3.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素,介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及在氧化性空气中进行第2之加热处理,去除或减少存在于该结晶性矽膜中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及施以图案形成而形成薄膜电晶体之活性层之工程,以及介经热氧化将构成栅绝缘膜之至少一部份之热氧化膜形成于该活性层之表面之工程。4.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在非晶质矽膜选择性的导入助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及介经第一之加热处理,由该金属元素被选择性的导入之领域,在平行于膜之方向使进行结晶成长之工程,以及在氧化性空气中进行第2之加热处理,在该结晶成长被进行之领域之表面形成热氧化膜之工程,以及去除该热氧化膜之工程,以及利用去除该热氧化膜之领域以形成半导体装置之活性层之工程。5.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续相连之结晶者。6.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶,为细棒状结晶或细扁平棒状结晶者。7.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶,为细棒状结晶,而且,彼等留有间隔,平行或几乎平行地成长之结晶。8.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使用由Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。9.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中第2之加热处理温度较第1之加热处理温度还高者。10.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中于去除热氧化膜后,进行于含氧气与氢气之电浆空气中之退火者。11.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中含于非晶质矽膜中之氧气浓度为51017cm-3-21019cm-3。12.如申请专利范围第1至第4项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化而获得结晶性矽膜后,对于该结晶性矽膜进行雷射光或强光之照射者。13.一种半导体装置,其特征为:具有包夹于第1以及第2之氧化膜之结晶性矽膜,该结晶性矽膜含有助长矽之结晶化之金属元素,于该结晶性矽膜中,该金属元素于该第1以及/或第2之氧化膜之界面附近,具有高之浓度分布者。14.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续地相连之结晶。15.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶16.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,为平行或几乎平行地成长之结晶。17.如申请专利范围第13项所述之半导体装置,其中第1之氧化膜为形成在玻璃基板或石英基板上之氧化矽膜或氧化氮化矽膜,结晶性矽膜构成薄膜电晶体之活性层,第2之氧化膜为构成栅绝缘膜之氧化矽膜或氧化氮化矽膜。18.一种半导体装置,其特征为:具有由氧化膜形成之底膜,以及形成在该底膜上之结晶性矽膜,以及形成在该结晶性矽膜上之热氧化膜,在该结晶性矽膜含有助长矽之结晶化之金属元素,该助长矽之结晶化之金属元素于底膜以及/或热氧化膜之界面附近,具有高之浓度分布,该热氧化膜构成薄膜电晶体之栅绝缘膜之至少一部分。19.如申请专利范围第18项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续地相连之结晶。20.如申请专利范围第18项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶。21.如申请专利范围第18项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,为平行或几乎平行地成长之结晶。22.如申请专利范围第18项所述之半导体装置,其中使用由Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。23.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素,介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,去除或减少存在于该结晶性矽膜中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该热氧化膜之领域之表面上,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程。24.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素,介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,在该结晶性矽膜之表面形成热氧化膜,于该热氧化膜介经吸气(gettering)以去除或减少存在于该结晶性矽膜中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该热氧化膜之领域之表面上,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程。25.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素,介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,以去除或灭少存在于该结晶性矽膜中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及施以图案形成而形成薄膜电晶体之活性层之工程,以及介经热氧化将构成栅绝缘膜之至少一部份之热氧化膜形成于该活性层之表面之工程。26.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在非晶质矽膜选择性的导入助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及介经第1之热处理由该金属元素被选择性的导入之领域,在平行于膜之方向使进行结晶成长之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,在该结晶成长被进行之领域之表面形成热氧化膜之工程,以及去除该热氧化膜之工程,以及利用去除该热氧化膜之领域以形成半导体装置之活性层之工程。27.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续地相连之结晶。28.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶者29.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,平行或几乎平行地成长之结晶。30.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使用由Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,lr,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。31.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中含卤素之氧化性空气为:于氧气中,添加由HCl,HF,HBr,Cl2,F2,Br2中选择一种或数种之气体者。32.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中含卤素之氧化性空气为:于含氧之空气中,添加由HCl,HF,HBr,Cl2,F2,Br2中选择一种或数种之气体者。33.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中在含卤素之氧化性空气中,添加氧气与卤元素之氢化物之气体。34.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中第2之加热处理温度较第1之加热处理温度还高者。35.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中第2之加热处理温度在700℃-1100℃之范围。36.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中于去除热氧化膜后,进行于含氧气与氢气之电浆空气中之退火者。37.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中含于非晶质矽膜中之氧气浓度为51017cm-3-21019cm-3。38.如申请专利范围第23至第26项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化而获得结晶性矽膜后,对于该结晶性矽膜进行雷射光或强光之照射者。39.一种半导体装置,其特征为:具有包夹于第1以及第2之氧化膜之结晶性矽膜,该结晶性矽膜含有氢气以及卤元素,而且,含助长矽之结晶化之金属元素,于该结晶性矽膜中,该金属元素于该第1以及/或第2之氧化膜之界面附近,具有高之浓度分布者。40.如申请专利范围第39项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连绩地相连之结晶。41.如申请专利范围第39项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶。42.如申请专利范围第39项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,为平行或几乎平行地成长之结晶。43.如申请专利范围第39项所述之半导体装置,其中在第1以及/或第2之氧化膜与结晶性矽膜之界面附近,含有高浓度分布之卤元素。44.如申请专利范围第39项所述之半导体装置,其中结晶性矽膜中在与第2之氧化膜之界面附近,含有高浓度分布之卤元素。45.如申读专利范围第39项所述之半导体装置,其中第l之氧化膜为形成在玻璃基板或石英基板上之氧化矽膜或氧化氮化矽膜,结晶性矽膜构成薄膜电晶体之活性层,第2之氧化膜为构成栅绝缘膜之氧化矽膜或氧化氮化矽膜。46.一种半导体装置,其特征为:具有由氧化膜形成之底膜,以及形成在该底膜上之结晶性矽膜,以及形成在该结晶性矽膜上之热氧化膜,在该结晶性矽膜含有助长矽之结晶化之金属元素以及氢气及卤素,该助长矽之结晶化之金属元素于底膜以及/或热氧化膜之界面附近,具有高之浓度分布,该卤素于底膜以及/或热氧化膜之界面附近,具有高之浓度分布,该热氧化膜构成薄膜电晶体之栅绝缘膜之至少一部分。47.如申请专利范围第46项所述之半导体装置,其中该结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续地相连之结晶。48.如申请专利范围第46项所述之半导体装置,其中该非结晶性矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶。49.如申请专利范围第46项所述之半导体装置,其中使该非晶质矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,为平行或几乎平行地成长之结晶。50.如申请专利范围第46项所述之半导体装置,其中使用由Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。51.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在具绝缘表面之基板上形成非晶质矽膜之工程,以及在该非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及介经温度750℃-1100℃之第1之加热处理以使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及将该结晶性矽膜施以图案形成,以形成半导体装置之活性层之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,以去除或减少存在于该活性层中之该金属元素之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该热氧化膜之后,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程,该第2之加热处理之温度较该第1之加热处理之温度高者。52.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在具绝缘表面之基板上形成非晶质矽膜之工程,以及在该非晶质矽膜有意的导入助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及介经温度750℃-1100℃之第1之加热处理以使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程,以及将该结晶性矽膜施以图案形成,以形成半导体装置之活性层之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,将存在于该活性层中之该金属元素于形成之热氧化膜中进行吸气之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该热氧化膜之领域之表面上,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程,该第2之加热处理之温度较该第1之加热处理之温度高者。53.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:在具绝缘表面之基板上形成非晶质矽膜之工程,以及在该非晶质矽膜有意而且选择性的导入助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及介经温度750℃-1100℃之第1之加热处理,由该非晶质矽膜之该金属元素被有意而且选择性的导入之领域,在平行于膜之方向使进行结晶成长之工程,以及进行图案形成,利用在平行于该膜之方向结晶成长之领域以形成半导体装置之活性层之工程,以及在含有卤素之氧化性空气中进行第2之加热处理,将存在于该活性层中之该金属元素于形成之热氧化膜中进行吸气之工程,以及去除在该工程形成之热氧化膜之工程,以及在去除该氧化膜之领域之表面上,介经再度之热氧化以形成热氧化膜之工程,该第2之加热处理之温度较该第1之加热处理之温度高者。54.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续相连之结晶者。55.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化后之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶。56.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使非晶质矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,为平行或几乎平行地成长之结晶。57.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中形成非晶质矽膜之基板,系使用石英基板。58.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中利用再度之热氧化膜以构成栅绝缘膜。59.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使用由Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。60.如申请专利锤围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中于去除热氧化膜后,进行于含氧气与氢气之电浆空气中之退火者。61.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中含于非晶质矽膜中之氧气浓度为51017cm-3-21019cm-3。62.如申请专利范围第51至第53项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化而获得结晶性矽膜后,对于该结晶性矽膜进行雷射光或强光之照射者。63.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:形成非晶质矽膜之工程,以及在该非晶质矽膜之表面接合保持助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及进行第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化,以获得结晶性矽膜之工程,以及于包含氧气与氢气以及氟之空气中进行温度500℃-700℃之第2之加热处理,在该非晶质矽膜之表面形成热氧化膜之工程,以及去除该热氧化膜之工程。64.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:形成非晶质矽膜之工程,以及在该非晶质矽膜之表面接合保持助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及进行第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化,以获得结晶性矽膜之工程,以及于包含氧气与氢气及氟以及氯之空气中进行温度500℃-700℃之第2之加热处理,在该非晶质矽膜之表面形成热氧化膜之工程,以及去除该热氧化膜之工程。65.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:形成非晶质矽膜之工程,以及在该非晶质矽膜之表面接合保持助长矽之结晶化之金属元素之工程,以及进行加热处理使该非晶质矽膜结晶化,以获得结晶性矽膜之工程,以及于包含氟以及/或氯之空气中,在上述结晶性矽膜之表面形成湿氧化膜之工程,以及去除该氧化膜之工程。66.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶,其结晶格子为连续地相连之结晶。67.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶。68.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化之结晶性矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,平行或几乎平行地成长之结晶。69.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中氧化膜中之该金属元素之浓度较结晶性矽膜中之该金属元素之浓度还高。70.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中在进行第2之加热处理之空气中,含有氢气1容量%以上,爆炸界限以下之浓度。71.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中于还原空气中进行第1之加热处理。72.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使用由Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。73.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中使用Ni作为助长矽之结晶化之金属元素。74.如申请专利范围第63至第65项之任一项所述之半导体装置之制造方法,其中介经第1之加热处理使该非晶质矽膜结晶化而获得结晶性矽膜后,对于该结晶性矽膜进行雷射光或强光之照射者。75.一种具有含结晶性矽膜之半导体装置,其特征为:在该矽膜含有助长矽之结晶化之金属元素之浓度为11016cm-3-51018cm-3,含有氟原子为11015cm-3-11020cm-3之浓度,含有氢原子为11017cm-3-11021cm-3之浓度。76.如申请专利范围第75项所述之半导体装置,其中该具有结晶性之矽膜中之结晶,其结晶格子为连续相连之结晶。77.如申请专利范围第75项所述之半导体装置,其中该具有结晶性之矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶者。78.如申请专利范围第75项所述之半导体装置,其中该具有结晶性之矽膜中之结晶为细棒状结晶或细扁平棒状结晶,而且,彼等留有间隔,平行或几乎平行地成长之结晶。79.如申请专利范围第75项所述之半导体装置,其中使用由Fe,C0,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素以作为助长矽之结晶化之金属元素。80.如申请专利范围第75项所述之半导体装置,其中使用Ni作为助长矽之结晶化之金属元素。81.如申请专利范围第75项所述之半导体装置,其中该矽膜形成于绝缘膜上,在该绝绿膜与该矽膜之界面附近,氟原子高浓度分布地存在着。82.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:形成非晶质矽膜之工程,以及将该非晶质矽膜结晶化以形成结晶性矽膜之工程,以及在添加氟化合物气体之氧化性空气中加热,在该结晶性矽膜之表面生长热氧化膜之工程,以及去除该结晶性矽膜表面之热氧化膜之工程,以及在该结晶性矽膜之表面堆积绝缘膜之工程。83.一种半导体装置之制造方法,其特征为具有:形成非晶质矽膜之工程,以及照射雷射光使该非晶质矽膜结晶化以形成结晶性矽膜之工程,以及在添加氟化合物气体之氧化性空气中加热,在该结晶性矽膜之表面生长热氧化膜之工程,以及整形成该结晶性矽膜以形成薄膜电晶体之活性层之工程,以及在该活性层之表面堆积绝缘膜,至少在通道领域之表面形成该栅绝缘膜之工程,以及在该栅绝缘膜之表面形成栅电极之工程,以及罩幕该栅电极于该活性层植入授予导电型之不纯物离子,自己整合性的形成源极,汲极之工程。84.如申请专利范围第82或第83项所述之半导体装置之制造方法,其中该使非晶质矽膜结晶化以形成结晶性矽膜之工程,为在该非晶质矽膜之表面导入助长矽之结晶化之金属元素后,介经进行加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜之工程。85.如申请专利范围第82或第83项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化以形成结晶性矽膜之工程,为在该非晶质矽膜之表面导入助长矽之结晶化之金属元素后,介经进行加热处理使该非晶质矽膜结晶化以获得结晶性矽膜后,对该结晶性矽膜照射雷射光或强光之工程。86.如申请专利范围第82或83项所述之半导体装置之制造方法,其中该热氧化膜之膜厚为200-500埃。87.如申请专利范围第82或83项所述之半导体装置之制造方法,其中使该非晶质矽膜结晶化以形成结晶性矽膜之工程后,具有于该非晶质矽膜添加助长矽之结晶化之金属元素11016-51019原子/cm3之浓度。88.如申请专利范围第82或第83项所述之半导体装置之制造方法,其中该金属元素为Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Cu,Au中选择一种或复数种类之元素者。图式简单说明:「图1」表示依据本发明而获得之结晶性矽膜之微细构造图(光学显微镜照片450倍)。「图2」表示依据本发明而获得之结晶性矽膜之微细构造图(光学显微镜照片450倍)。「图3」表示依据本发明而获得之结晶性矽膜之微细构造图(TEM:50000倍)。「图4」表示依据本发明而获得之结晶性矽膜之微细构造圃(TEM:50000倍)。「图5(A)-5(G)」表示关于本发明之结晶性矽膜之制造工程之典型的形态之其中之一例之图。「图6(H)-6(L)」表示使用关于本发明之结晶性矽膜之半导体装置之制造工程之典型的形态之其中之一例之图。「图7(a),7(b)」为就关于本发明之结晶性矽膜,将以由数目很多之显微镜照片观察之结果为基础而推想之结晶成长之形态模型的表示之图。「图8」系为了说明半导体装置之副临界値特性(S値)等之模型图。「图9(a),9(b)」表示使用关于本发明之结晶性矽膜之半导体装置之副临界値特性(S値)等之诸特性图。「图10(a),10(b)」表示使用关于本发明之结晶性矽膜之半导体装置之副临界値特性(S値)等之诸特性图。「图11(a),11(b)」表示使用关于本发明之结晶性矽膜之半导体装置之副临界値特性(S値)等之诸特性图。「图12」系为了说明组成将N通道型TFT与P通道型TFT编在一起之电路之环形振荡器之特性之模型图。「图13(a),13(b)」表示依据使用关于本发明之结晶性矽膜组成将N通道型TFT与P通道型TFT编在一起之电路之环形振荡器之示波器之图。「图14」表示使用关于本发明之结晶性矽膜之平面形之薄膜电晶体之栅电流之値之量测値。「图15」表示使用关于本发明之结晶性矽膜之平面形之薄膜电晶体之栅电流之値之量测値。「图16」表示使用Ni使非晶质矽膜结晶化后,量测形成热氧化膜之膜剖面方向之Ni元素之浓度分布图。「图17」表示使用Ni使非晶质矽膜结晶化后,量测形成热氧化膜之膜剖面方向之Ni元素之浓度分布图。「图18」表示使用Ni使非晶质矽膜结晶化后,量测形成热氧化膜之膜剖面方向之Cl元素之浓度分布图。「图19」表示使用Ni使非晶质矽膜结晶化后,量测形成热氧化膜之膜剖面方向之Ni元素之浓度分布图。「图20」表示使用Ni使非晶质矽膜结晶化后,量测形成热氧化膜之膜剖面方向之Ni元素之浓度分布图。「图21」表示使用Ni使非晶质矽膜结晶化后,量测形成热氧化膜之膜剖面方向之Cl元素之浓度分布图。「图22(A)-22(E)」表示实施例4之制造工程图。「图23(A)-23(E)」表示实施例9之制造工程图。「图24(A)-24(E)」表示实施例10之制造工程图。「图25(A)-25(E)」表示实施例12之制造工程图。「图26(A)-26(F)」表示实施例13之制造工程688。「图27(A)-27(E)」表示实施例16之制造工程图。「图28(A)-28(E)」表示实施例21之制造工程图。「图29(A)-29(E)」表示实施例22之制造工程图。「图30(A)-30(E)」表示实施例24之制造工程图。「图31(A)-31(F)」表示实施例25之制造工程图。「图32(A)-32(E)」表示实施例28之制造工程图。「图33(A)-33(E)」表示实施例30之制造工程图。「图34(A)-34(E)」表示实施例31之制造工程图。「图35(A)-35(E)」表示实施例33之制造工程图。「图36(A)-36(F)」表示实施例34之制造工程图。「图37(A)-37(F)」表示实施例37之制造工程图。「图38(A),38(B)」系说明对结晶性矽膜面之雷射光照射时之现象之模型图。「图39(A)-39(E)」表示实施例39之制造工程图。「图40(A)-40(E)」表示实施例41之制造工程图。「图41(A)-41(E)」表示实施例42之制造工程图。「图42(A)-42(E)」表示实施例44之制造工程图。「图43(A)-43(F)」表示实施例45之制造工程图。「图44(A)-44(F)」表示实施例48之制造工程图。「图45(A)-45(E)」表示实施例50之制造工程图。「图46(A)-46(E)」表示实施例52之制造工程图。「图47(A)-47(E)」表示实施例53之制造工程图。「图48(A)-48(E)」表示实施例54之制造工程图。「图49(A)-49(F)」表示实施例55之制,造工程图。「图50(A)-50(E)」表示实施例58之制造工程图。「图51(A)-51(E)」表示实施例60之制造工程图。「图52(A)-52(E)」表示实施例61之制造工程图。「图53(A)-53(E)」表示实施例62之制造工程图。「图54(A)-54(F)」表示实施例63之制造工程图。「图55(A)-55(F)」表示实施例66之制造工程图。「图56(A)-56(E)」表示实施例67之制造工程图。「图57(A),(B)」表示实施例67之制造工程图。「图58(A)-58(E)」表示实施例68之制造工程图。「图59(A)-59(E)」表示实施例68之制造工程图。「图60(A)-60(D)」表示实施例69之制造工程图。「图61(E)-61(H)」表示实施例69之制造工程图。「图62(A)-62(C)」表示本发明之半导体装置之各种应用例之中之几个例子之图。「图63(D)-63(F)」表示本发明之半导体装置之各种应用例之中之几个例子之图。 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