| 主权项 |
1.一种具有三个电极之蚀刻室,用于半导体晶圆之异方性和选择性蚀刻,包括:一具有电介质窗之外罩;第一电极装置,设在该外罩之外且邻近于电介质窗以将RF电压感应耦合入已被引入外罩之处理气体并将气体转换为电浆;第二电极装置,设在外罩内以支撑将被蚀刻之至少一半导体晶圆且激励由该第一电极装置所产生之电浆;第三电极装置,设在第一电极装置和电介质窗之间以溅射电介质窗以便为该至少一半导体晶圆之异方和选择性蚀刻提供侧壁钝化,其中该第一、第二和第三电极装置可被独立控制以使该至少一半导体晶圆之蚀刻最佳化。2.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该电介质窗包括一石英板。3.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该半导体晶圆包括多晶矽。4.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第一电极装置耦合至第一RF产生器。5.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第二电极装置耦合至第二RF产生器。6.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第三电极装置耦合至第三RF产生器。7.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第一电极装置包括一感应线圈。8.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第二电极装置包括一晶圆固持夹头。9.如申请专利范围第1项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第三电极装置包括一栅形电极。10.一种具有三个电极之蚀刻室,用于半导体晶圆之异方性和选择性蚀刻,包括:一具有电介质窗之外罩;第一电极装置,设在该外罩之外且邻近于电介质窗以将RF电压感应耦合入已被欠入外罩之处理气体并将气体转换为电浆;第二电极装置,设在外罩内以支撑将被蚀刻之至少一半导体晶圆且激励由该第一电极装置所产生之电浆;第三电极装置,设在第一电极装置和电介质窗之间以溅射电介质窗以便为该至少一半导体晶圆之异方和选择性蚀刻提供侧壁钝化,RF产生器装置,用于供应RF能源至该第一、第二和第三电极装置,该RF产生器装置使该第一、第二和第三电极装置可被独立控制以使该至少一半导体晶圆之蚀刻最佳化。11.如申请专利范围第10项之具有三个电极之蚀刻室,其中该RF产生器装置包括三分开的RF产生器,每一该RF产生器耦合至相关的该第一、第二和第三电极装置之一。12.如申请专利范围第11项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第一电极装置包括一感应线圈。13.如申请专利范围第12项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第二电极装置包括一晶圆固持夹头。14.如申请专利范围第13项之具有三个电极之蚀刻室,其中该第三电极装置包括一栅形电极。15.如申请专利范围第14项之具有三个电极之蚀刻室,其中电介窗包括一石英板。图式简单说明:第1图是先前技艺之蚀刻室的示意图;而第2图是本发明之蚀刻室的示意图。 |
