| 主权项 |
1.一种喷墨头电阻层之制程,其制程步骤系可包括:a)形成一介电层于一基板上;b)形成一第一电阻层于该介电层上;c)形成一掺质层于该第一电阻层上;d)形成一第二电阻层于该掺质层上;以及e)遂行一热处理步骤,以使该掺质层扩散至该第一电阻层与该第二电阻层,俾形成该喷墨头之该电阻层。2.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(a)中,该基板系可为一矽基板。3.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(a)中,形成该介电层之方法系可以一热氧化法(Thermal Oxidation)为之。4.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(a)中,该介电层系可为一二氧化矽(SiO2)层。5.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(b)中,形成该第一电阻层之方式系可以一直流溅镀方式(DC Sputtering)为之。6.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(b)中,该第一电阻层系可为一氮化钽(TaN)层。7.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(c)中,形成该掺质层之方式系可以一直流溅镀方式(DC Sputtering)为之。8.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(c)中,该掺质层中所包含之掺质系可为原子半径为钽(Ta)之10%-30%之元素。9.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(c)中,该掺质层系可为一含铟(In)之金属层。10.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(c)中,该掺质层系可为一含铅(Pb)之金属层。11.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(c)中,该掺质层系可为一含镨(Pr)之金属层。12.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(c)中,该掺质层系可为一含钐(Sm)之金属层。13.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(d)中,形成该第二电阻层之方式系可以一直流溅镀方式(DC Sputtering)为之。14.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(d)中,该第二电阻层系可为一氮化钽(TaN)层。15.如申请专利范围第1项所述之喷墨头电阻层之制程,其中于该步骤(e)中,该热处理步骤系可为一快速热制程(Rapid Thermal Processing, RTP),以使该掺杂层扩散至该第一电阻层与该第二电阻层之中。图式简单说明:第一图:其系为习知喷墨头之结构示意图。第二图(a)-(f):其系为本案之较佳实施制程步骤示例图。 |
