| 主权项 |
1.一种铜线,其具有几乎不含柱状晶粒的实质均匀 不定向 晶粒构造,该铜的平均晶粒尺寸高达8微米,在23℃ 的最 终抗张强度为60,000至95,000psi,在23℃的伸长率为8% 至18%。2.如申请专利范围第1项之线,其中该线具有 几乎不含孪 晶间界且实质地无孔性之晶粒构造。3.如申请专 利范围第1项之线,其中该线在180℃具有于22 ,000至32,000 psi范围内的最终抗张强度及在180℃下 于 24%至45%范围内的伸长率。4.如申请专利范围第1项 之线,其中该线具有圆形横截面 形状。5.如申请专利范围第1项之线,其中该线具有 方形或长方 形横截面形状。6.如申请专利范围第1项之线,其中 该线具有十字形,星 形,半圆形,多边形,竞赛场形,卵形,扁平形或有肋 骨 状突起的扁平形之横截面形状。7.一种制造铜线 的方法,其包括:(A)将电解质水溶液流 经阳极与阴极之间并在阳极与阴极之间施加一有 效量的电 压以在阴极上沈积具有几乎不含柱状晶粒的实値 均匀不定 向晶粒结构之铜箔,其中该电解质溶液的特征在于 含有最 高达5ppm的氯离子浓度和最高达0.2ppm的有机添加剂 浓度 ;(B)切割该箔以形成至少一线股;及(C)对该股线进 行成 型处理以使该线股具有所欲横截面形状和尺寸。8 .如申请专利范围第7项之方法,其更包括在步骤(C) 之前 清洁步骤(B)所得该线股。9.如申请专利范围第7项 之方法,其中该阴极系水平装设 者。10.如申请专利范围第7项之方法,其中该阴极 系垂直装设 者。11.如申请专利范围第7项之方法,其中该切割 步骤(B)包 括将在该阴极上的箔片划线切割出以形成该线股 及从阴极 取下该线股。12.如申请专利范围第11项之方法,其 中在该步骤(B)之前 ,将该阴极从该电铸电池中取出。13.如申请专利范 围第7项之方法,其中该电解质溶液具有 最高达1ppm的氯离子浓度。14.如申请专利范围第7 项之方法,其中该电解质溶液具有 零之自由氯离子浓度。15.如申请专利范围第7项之 方法,其中该电解质溶液不含 有机添加剂。16.如申请专利范围第7项之方法,其 中沈积该铜所用的电 流密度系在500至2000安培/平方尺范围之内。17.如 申请专利范围第7项之方法,其更包括在步骤(B)之 前将该箔退火处理之步骤。18.如申请专利范围第7 项之方法,其更包括对该线进行退 火处理之步骤。19.如申请专利范围第7项之方法, 其中该线具有圆形横截 面形状。20.如申请专利范围第7项之方法,其中该 线具有方形或长 方形横截面形状。21.如申请专利范围第7项之方法 ,其中该线具有十字形, 星形,半圆形,多边形,竞赛场形,卵形,扁平形或有 肋 状突起的扁平形之形式的横截面形状。22.一种制 造铜线之方法,其包括:(A)将铜箔切割形成至 少一股铜线,该铜箔为可退火的电沈积铜箔,其具 有几乎 不含柱状晶粒的实质均匀不定向晶粒构造,且该铜 箔的特 征在于其在177℃退火处理15分钟后具有至少25%的 疲劳延 性;及(B)对该线股进行成型以使该股具有所欲的构 截面 形状和尺寸。23.如申请专利范围第22项之方法,其 中该箔系经退火者 且该箔的特征为具有至少65%的疲劳延性。24.如申 请专利范围第22项之方法,其中该箔在23℃具有 60,000至95,000psi范围内的最终抗张强度。25.如申请 专利范围第22项之方法,其中该箔在23℃具有8 %至18%范围内的伸长率。26.如申请专利范围第22项 之方法,其中该箔在180℃具有 22,000至32,000psi范围内之最终抗张强度。27.如申请 专利范围第22项之方法,其中该箔在180℃具有 23%至37%的伸长率。28.如申请专利范围第22项之方 法,其中该箔在经177℃退 火处理15分钟后具有23℃下于42,000至70,000psi范围内 之最终抗张强度。29.如申请专利范围第22项之方 法,其中该箔在177℃退火 处理15分钟后,具有23℃下于15%至31%范围内的伸长 率。30.如申请专利范围第22项之方法,其中该箔在 经177℃退 火处理15分钟后具有180℃下于22,000至32,000psi范围 内 之最终抗张强度。31.如申请专利范围第22项之方 法,其中该箔在177℃退火 处理15分钟之后,具有180℃下于24%至38%范围内的伸 长 率。32.如申请专利范围第23项之方法,其中该箔在 23℃下于 36,000至48,000psi范围内之最终抗张强度。33.如申请 专利范围第23项之方法,其中该箔具有在23℃ 下于23%至36%范围内之伸长率。34.如申请专利范围 第23项之方法,其中该箔在180℃下于 22,000至32,000psi范围内之最终抗张强度。35.如申请 专利范围第23项之方法,其中该箔在具有180℃ 下于25%至40%范围内之伸长率。36.如申请专利范围 第22项之方法,其中该箔的平均晶粒 尺寸为最高达3微米。37.如申请专利范围第22项之 方法,其中该箔在经177℃退 火处理15分钟后所具平均晶粒尺寸为高达5微米。 38.如申请专利范围第23项之方法,其中该箔的平均 晶粒 尺寸为最高达8微米。39.如申请专利范围第22项之 方法,其中该线具有圆形横 截面形状。40.如申请专利范围第22项之方法,其中 该线具有方形或 长方形横截面形状。41.如申请专利范围第22项之 方法,其中该线具有十字形 ,星形,半圆形,多边形,竞赛场形,卵形,扁平形或有 肋骨状突起的扁平形之形状的横截面形状。图式 简单说明 :图1为阐示本发明一实施例的流程图,其中系将铜 电沈 积在垂直取向的阴极上面以形成铜箔片,将箔片划 线切割 并从阴极上取下来成为铜线股,然后将铜线成型处 理以使 铜线具有所欲横断面形状和尺寸;图2为阐示本发 明另一 实施例的流程图,其中系将铜电沈积在水平取向的 阴极上 形成铜箔片,然后将箔片从阴极取出,切割形成一 或多股 铜线,接着将铜线股成型处理形成具有所欲横断面 形状和 尺寸的铜线;图3-20阐示根据本发明制成的铜线之 横断面 形状;图21为实施例1第5号铜箔样品所具横断面以 800 放大倍率取得之显微照片;和图22为实施例1第8 号铜箔样 品所具横断面以800放大倍率取得之显微照片。 |
