相变化型光记录媒体之设计方法及相变化型光记录媒体

摘要

本发明乃有关：利用光照射所引起记录层之可逆性相位变化，来进行资讯之记录、抹除、再生等之相变化型光记录媒体，尤其是可高密度来记录资讯，且优于记录、抹除之反覆特性之相变化型光记录媒体者。本发明之目的乃在备有Ｇｅ－Ｔｅ－Ｓｂ合金所成光记录层之相变化型光记录媒体中；提供：不致使记录、抹除（erase）以及再生之各特性劣化，可进一步提高非晶质与结晶状态之光吸收率比（Ａｃ／Ａａ）等之技术者。本发明之其他目的则在记录层之即上方及／或即下方具有光吸收层之相变化型光记录媒体中；提供：可正确进行记录密度较高之条纹边缘（mark edge）记录之技术者。本发明之特征乃在备有Ｇｅ－Ｔｅ－Ｓｂ合金所成记录层（４）之相变化型光记录媒体中；在记录层（４）之雷射光射入侧设置界面反射控制层（３）。此界面反射控制层（３）之清退系数ｋ及折射率ｎ，将同时可满足：Ｋ≧０. ２２ｎ＋０. １４，且ｋ≦０. ８８ｎ－０. １９，且ｎ≦２. ８。由此，可将记录层（４）与界面反射控制层（３）之界面之反射波与入射波之强度比纳入特定之范围。结果，对于记录层（４），在非晶质状态下之光吸收率（Ａａ）与结晶状态下之光吸收率（Ａｃ）之比（Ａｃ／Ａａ）将被提高。而且，光学特性比度亦将成为充分之高值。由此，将可在重写（over write）记录时获得良质之再生信号。并且，在界面反射控制层（３）与基板（１）之间设置热扩散层（７），由此亦可正确进行记录密度极高之条纹边缘（mark edge）记录。

主权项

1.一种相变化型光记录媒体(phase change type recording medium)之设计方法;主要在:备有由至少含有Ge、Sb、 Te之合金所成,并按照射光之强度,在结晶状态与非 晶质状态之间之相变化能可逆性被进行之记录层; 及支持此记录层才基板等;而由光照射来进行资讯 之记录、抹除(erase)、再生(regeneration)等之相变化 型记录媒体之设计方法中,其特征为: 对于前述记录层为结晶状态之情形以及非晶质状 态之情形等之于该记录层之光射入侧界面上之入 射波与反射波之强度比(Rra,记录层为非晶质状态 之情形;Rrc:记录层为结晶状态之情形),使其可同时 满足下述数式(1)、数式(2)、以及数式(3)等为构成 者。 Rra-Rrc≧-0.2………(1) Rra-0.9Rrc≦0.05………(2) Rra+Rrc≧0.18………(3)2.一种相变化型光记录媒体; 主要在备有:由至少含有Ge、Sb、Te之合金所成,并 按照射光之强度,在结晶状态与非晶质状态之间之 相变化能可逆性被进行之记录层;及支持此记录层 之基板等;而由光照射来进行资讯之记录、抹除、 再生等之相变化型记录媒体中;其特征为: 前述记录层系原子比呈Sb:Te:Ge=X:Y: Z之时,以具有呈12≦X≦32,44≦Y≦64, 12≦Z≦32之范围的组成的Sb-Te-Ge合金为主成份, 在前述记录层之光射入侧之界面,设有:由其折射 率n及消退系数(extinction factor)k可同时满足下述数 式(4)、数式(5)、及数式(6)等之材料所构成之界面 反射控制层为构成者, k≧0.22n+0.14………(4) k≦0.88n-O.19………(5) n≦2.8………(6)3.一种相变化型记录媒体;主要在备 有:由至少含有Ge、Sb、Te之合金所成,并按照射光 之强度,在结晶状态与非晶质状态之间之相变化能 可逆性被进行之记录层;及支持此记录层之基板等 ;而由光照射来进行资讯之记录、抹除、再生等之 相变化型记录媒体中;其特征为: 前述记录层系原子比呈Sb:Te:Ge=X:Y:Z之时,以具有呈 12≦X≦32,44≦Y≦64,12≦Z≦32之范围的组成的Sb-Te-Ge 合金为主成份, 在前述记录层之即下方及即上方,设有界面反射控 制层,而被设在该记录层之光射入侧之第1界面反 射控制层,乃由其折射率ni1及消退系数ki1可同时满 足下述数式(7)、数式(8)、及数式(9)等之材料所构 成;被设在该记录层之光射入侧之相反侧之第2界 面反射控制层,则由其折射率ni2及消退系数ki2可同 时满足下述数式(10)、数式(11)、以及数式(12)等之 材料所构成;等为构成者, ki1≧0.15ni1………(7) ki1≦0.6ni1………(8) ni1≦3.0………(9) ki2≧0.35………(10) ki2≦1.06ni2+0.25………(11) ki2≧ni2-3.8………(12)4.如申请专利范围第2或3项所 述之相变化型记录媒体中;界面反射控制层乃为金 属、半金属、或半导体之氧化物、硫化物、氮化 物、碳化物、以及氟化物所成群被选出之至少一 种,而由氧、硫黄、氮、碳、以及氟为不足(deficit) 之不定比化合物所构成者。5.如申请专利范围第2 或3项所述之相变化型记录媒体中;界面反射控制 层乃由硫化锌之硫黄为不足之不定比化合物、氮 化铝之氮为不足之不定比化合物,或碳化矽之碳为 不足之不定比化合物等所构成者。6.如申请专利 范围第2项或第3项所述之相变化型记录媒体中;与 记录层之雷射光射入侧之界面被连接设置之界面 反射控制层与基板之间,设有由电介质材料所构成 之保护层者。7.如申请专利范围第2项或第3项所述 之相变化型记录媒体中;与记录层之雷射光射入侧 之界面被连接设置之界面反射控制层与基板之间, 设有由氮化铝、氮化硼、氮化矽、氮化钛、碳、 碳化矽、碳化钛、碳化钽、碳化钨、氧化铝、氧 化镁、硼化锆、MoSi2.金属、半金属,或半导体所成 热扩散层;等为特征者。图式简单说明: [第1图]将本发明之相变化型光记录媒体之热流,加 以模式性表示之说明图。 [第2图]表示以往之相变化型光记录媒体之层构成 之断面图。 [第3图]表示本发明之相变化型光记录媒体之一实 施形态之概略断面图。 [第4图]在记录层之非晶质状态下之界面反射强度 比Rra与结晶状态下之界面反射强度比Rrc之相关关 系下,来表示其光吸收率比(Ac/Aa)之等高线图。 [第5图]在记录层之非晶质状态下之界面反射强度 比Rra与结晶状态下之界面反射强度比Rrc之相关关 系下,来表示其光学性对比度R之等高线图。 [第6图]在界面反射控制层之消退系数K与折射率n 之相关关系下,来表示其(Rra-Rrc)之等高线图。 [第7图]在界面反射控制层之消退系数k与折射率n 之相关关系下,来表示其(Rra-O.9Rrc)之等高线图。 [第8图]之界面反射控制层之消退系数k与折射率n 之相关关系下,来表示其(Rra+Rrc)之等高线图。 [第9图]在界面反射控制层之消退系数k与折射率n 之相关关系下,来表示其(Ac/Aa)之等高线图。 [第10图]在界面反射控制层之消退系数k与折射率 之相关关系下,来表示其光学对比度R之等高线 图。 [第11图]本发明之相变化型记录媒体之一实施形态 之概略断面图。 [第12图]在第1界面反射控制层之消退系数ki1与折 射率ni1之相关关系下,来表示其光吸收率比(Ac/Aa) 之等高线图。 [第13图]在第1界面反射控制层之消退系数ki1与折 射率ni之相关关系下,来表示其光学性对比度R之 等高线图。 [第14图]在第2界面反射控制层之消退系数ki2与折 射率ni2之相关关系下,来表示其光吸收率比(Ac/Aa) 之等直线图。 [第15图]在第2界面反射控制层之消退系数ki2与折 射率ni2之相关关系下,来表示其光学性对比度R 之等高线图。 [第16图]本发明之相变化型光记录媒体之一实施形 态之概略断面图。 [第17图]表示于实施例6所测定之再生光之信号强 度与记录频率之关系之曲线图。 [第18图]表示从再生信号获得二値化信号之程度之 模式图;(a)为将记录条纹,(b)则将再生信号,(c)亦将 前边缘之二値化信号,(d)亦将后边缘之二値化信,(d )亦将后边缘之二値化信号,(e)则将两边缘之二値 化信号,各加以表示者。 [第19图]在实施例6中,表示对各试样(sample)加以观 察之再生信号号波形之波形图;(a)为实施例之试样 之波形,(b)为比较例之试样之波形,(c)亦为比较例 之试样之波形,而记录时之线速度较(b)为快之情形 之波形。 [第20图]本发明之相变化型记录媒体之一实施形态 之概略断面图。