| 发明名称 | 中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料 | ||
| 摘要 | 一种中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料,以BaO·4TiO<SUB>2</SUB>主晶相、3～5%硼硅铅玻璃及0.1%ZrO<SUB>2</SUB>的改性剂(MnCO<SUB>3</SUB>、SnO<SUB>2</SUB>、ZrO<SUB>2</SUB>)的一种或几种。其介电常数可达35左右,介质损耗≤4×10<SUP>-4</SUP>;绝缘电阻率ρν=10<SUP>14</SUP>Ω·cm;电容量温度变化率≤0+30ppm/℃,适用于中温烧结(1140)片式多层陶瓷电容器的生产。 | ||
| 申请公布号 | CN1187015A | 申请公布日期 | 1998.07.08 |
| 申请号 | CN96118943.6 | 申请日期 | 1996.12.23 |
| 申请人 | 广东肇庆风华电子工程开发有限公司 | 发明人 | 梁力平;陈锦清;祝忠勇;欧明;杨仕基;莫天桥;庞溥生;李富胜;吴小飞;赖永雄;宋子峰 |
| 分类号 | H01G4/12 | 主分类号 | H01G4/12 |
| 代理机构 | 广州市专利事务所 | 代理人 | 罗毅萍 |
| 主权项 | 1、一种中温烧结低介高频片式多层瓷介电容器瓷料，其特征在于其配方组成(重量比)为，四钛钡主晶相(BaO·4TiO2) 95～97％硼硅铅玻璃 3～5％其中硼硅铅玻璃组成为：B2O3 20～30％ SiO2 5～10％ PbO 40～75％0.1～0.5T的碳酸锰(MnCO3)、二氧化锡(SnO2)、二氧化锆(ZrO2)的一种或几种 | ||
| 地址 | 526020广东省肇庆市西江北路风华电子工业城 | ||