制造DMOS晶体管的方法

摘要

一种制造双扩散MOS(DMOS)晶体管的改进方法,包括下列步骤,在进行POCl₃掺杂之前,热氧化在半导体衬底上在先形成的氧化层以部分形成相对厚的氧化层,在掺杂POCl₃期间,使栅多晶硅层具有导电性,而POCl₃中的磷不能通过相对厚的氧化层,穿入衬底,制成的DMOS器件在P型体中具有沟道区,在源/漏区中有均匀的杂质浓度分布,导致了耐压的增加。

主权项

1.一种制造DMOS晶体管的方法，其包括下列步骤：制备半导体衬底；在半导体衬底上面形成第1绝缘层；按顺序在第1绝缘层上面，形成栅多晶硅层和第2绝缘层；对栅多晶硅层和第2绝缘层进行构图，以使在半导体层上形成源和漏的窗口；利用形成的掩模体通过离子注入，穿过源区窗口在衬底中形成第1导电型体；热氧化第1绝缘层的露出部分，以形成相对厚的氧化层；通过源和漏窗口，在衬底中形成第2导电型的源区和漏区。