| 发明名称 | 半导体存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种适于降低单元区与外围电路区之间台阶覆盖的半导体存储器件及其制造方法;半导体存储器件有存储数据的单元阵列区和控制存储数据的输入和输出的外围电路区,该器件包括:形成于单元阵列区的字线和位线,用于连接单元阵列区中各单元;形成于邻近单元阵列区的外围电路区上的虚设图形层,用于降低单元阵列区和外围电路区之间的台阶覆盖。 | ||
| 申请公布号 | CN1187041A | 申请公布日期 | 1998.07.08 |
| 申请号 | CN97114679.9 | 申请日期 | 1997.07.16 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 洪基格 |
| 分类号 | H01L27/105;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/105 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储器件，该器件有存储数据的单元阵列区和控制存储数据的输入和输出的外围电路区，该器件包括：形成于单元阵列区的字线和位线，用于连接单元阵列区中各单元；形成于邻近单元阵列区的外围电路区上的虚设图形层，用于降低单元阵列区和外围电路区间的台阶覆盖。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||