| 发明名称 |
METHOD FO OBTAINING GALLIUM NITRIDE MONOCRYSTALS AND EPITAXIAL LAYERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
PL317773(A1) |
申请公布日期 |
1998.07.06 |
| 申请号 |
PL19960317773 |
申请日期 |
1996.12.31 |
| 申请人 |
POLITECHNIKA WARSZAWSKA |
发明人 |
KAMLER GRZEGORZ;PYTLARCZYK BEATA;PODSIADLO SLAWOMIR |
| 分类号 |
C01B21/06;(IPC1-7):C01B21/06 |
主分类号 |
C01B21/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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