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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer nichtplanaren Struktur auf einem Halbleitersubstrat
摘要
申请公布号 DE68928681(D1) 申请公布日期 1998.07.02
申请号 DE19896028681 申请日期 1989.03.24
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC. (N.D.GES.DES STAATES DELAWARE), CARROLLTON, TEX., US 发明人 BRYANT, FRANK RANDOLPH, F-75116 PARIS, FR;LIOU, FU-TAI, F-75116 PARIS, FR
分类号 H01L21/32;H01L21/76;(IPC1-7):H01L21/76 主分类号 H01L21/32
代理机构 代理人
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