Halbleitervorrichtung mit einer Isolierung durch ein dielektrisches Element und Herstellungsverfahren dafür,申请号DE19934326846-传众专利搜索

发明名称	Halbleitervorrichtung mit einer Isolierung durch ein dielektrisches Element und Herstellungsverfahren dafür
摘要
申请公布号	DE4326846(C2)	申请公布日期	1998.07.02
申请号	DE19934326846	申请日期	1993.08.10
申请人	MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO, JP	发明人	TERASHIMA, TOMOHIDE, ITAMI, HYOGO, JP
分类号	H01L21/331;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/40;H01L29/73;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/861;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/336	主分类号	H01L21/331
代理机构		代理人
主权项
地址