发明名称 X-RAY DETECTOR WITH DIRECT QUANTUM TRANSFORMATION
摘要 <p>L'invention concerne un détecteur de rayons X (5) comportant au moins une couche à semi-conducteur (1, 12) pour produire des signaux électriques par absorption de rayons X, excitation de porteurs électriques de charge et par extraction desdits porteurs. Ce détecteur présente une première couche conductrice sous forme d'électrode (14) sur laquelle est appliquée au moins une couche à semi-conducteur (11, 12) recouverte d'une seconde couche conductrice sous forme d'électrode (13). Les électrodes (13, 14) sont reliées à une source de tension (17) par l'intermédiaire de lignes électriques (15, 16), de manière à produire dans le couche à semi-conducteur un champ électrique qui sépare les porteurs électriques de charge, les réunit dans les électrodes (13, 14) et les achemine jusqu'à un dispositif enregistreur (18) par l'intermédiaire des lignes électriques (15, 16). Le semi-conducteur est séparé selon la technique des couches minces et les couches de semi-conducteur (11, 12) contiennent au moins un élément métallique d'un nombre atomique Z≥42, qui est lié à au moins un élément du sixième groupe de la classification périodique des éléments.</p>
申请公布号 WO1998028800(A1) 申请公布日期 1998.07.02
申请号 DE1997002967 申请日期 1997.12.19
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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