| 主权项 |
1.一种光绕射晶格,其特征是具备有:光纤,具有沿 着光 轴方向使心子之折射率进行变化之绕射晶格部,在 使用温 度范围具有正的热膨胀系数;和由液晶高分子形成 之第1 被覆部,以同心圆状包围形成有上述绕射晶格部之 上述光 纤,在上述之使用温度范围具有负的热膨胀系数。 2.如申请专利范围第1项之光纤绕射晶格,其中具有 由塑 胶材料或碳材料所制成之第2被覆部,位于上述之 光纤和 上述之第1被覆部之间,以同心圆状包围光纤。3.一 种光纤绕射晶格之制造方法,其特征是具备有:第1 工程,用来对光纤用预发泡体进行拉线,藉以制作 在使用 温度范围具有正的热膨胀系数之光纤;第2工程,用 来沿 着上述光纤之光轴方向形成至少使心子之折射率 进行变化 之绕射晶格部;和第3工程,在形成有上述绕射晶格 部之 上述光纤之周围,对在上述使用温度范围具有负膨 胀系数 之液晶高分子材料进行压出和成形,用以形成以同 心圆状 包围上述光纤之由上述液晶高分子制成之第1被覆 部。4.如申请专利范围第3项之光纤绕射晶格之制 造方法,其 中上述之第2工程是在上述光纤玻璃部之多个位置 形成上 述之绕射昌格部;和具备有第4工程,在上述之第3工 程之 后,切断由上述之液晶高分子所形成之第1被覆部 和上述 之光纤,用来分割成每一个具有1个绕射晶格部之 单位光 纤和位于上述单位光纤之周围之上述第1被覆部。 5.一种光纤绕射昌格之制造方法,其特征是具备有: 第1 工程,用来对光纤用预发泡体进行拉线,藉以制作 在使用 温度范围具有正的热膨胀系数之光纤;第2工程,用 来在 上述光纤之周围,形成以同心圆状包围上述光纤之 第2被 覆部;第3工程,在上述第2被覆部之一部份被剥离之 后, 沿着露出之上述光纤部之光轴方向,形成至少可以 使心子 之折射率进行变化之绕射晶格部;第4工程,用来在 形成 有上述绕射晶格部之上述光纤之周围,再度形成上 述之第 2被覆部;和第5工程,在用以被覆上述光纤之上述第 2被 覆部之周围,对在上述使用温度范围具有负热膨胀 系数之 液晶高分子材料进行压出和成形,用以形成以同心 圆状包 围上述光纤之由上述液晶高分子制成之第1被覆部 。6.如申请专利范围第5项之光纤绕射晶格之制造 方法,其 中上述之第3和第4工程重复的进行多次,在上述第2 被覆 部之一部份被剥离之后,在露出之上述光纤内形成 上述之 绕射晶格部和在形成有上述绕射晶格部之上述光 纤之周围 ,再度的形成上述之第2被覆部,藉以在上述光纤之 多个 位置形成上述之绕射晶格部,和在多个位置形成有 上述绕 射晶格部之上述光纤之周围,再度的形成上述之第 2被覆 部;和具备有分割工程,在上述之第5工程之后,切断 上 述之第1被覆部和上述之光纤,用来分割成每一个 具有1个 绕射晶格部之单位光纤和上述单位光纤之周围之 上述第1 被覆部。7.一种电射光源,其特征是具备有:雷射媒 质;和至为1 个之如申请专利范围第1项之光纤绕射晶格,被使 用作为 上述雷射媒质之外部共振反射器。8.如申请专利 范围第7项之雷射之光源,其中上述之雷射 媒质具备有雷射之极体。9.如申请专利范围第7项 之雷射光源,其中上述之雷射媒 质具备有:激励光源,用来射出激励光;和稀压类添 加光 纤,用来输入上述之激励光。图式简单说明:第1A图 和第 1B图是本发明之实施例之光纤绕射晶格之构造图 。第2图 是流程图,用来说明第1图之光纤绕射晶格之制造 方法。 第3图是第1适用例之雷射光源之构造图。第4图之 图形用 来表示第3图之雷射光源之振荡波长与温度之相关 性。第5 图是第2适用例之雷射光源之构造图。第6图是说 明图,用 来说明习知之光纤绕射晶格之反射波长对温度变 化变动之 防止方法。第7A图和第7B图是本发明之另一实施例 之光纤 绕射晶格之构造图。第8A图和第8B图是本发明之另 一实施 例之光纤绕射晶格之构造图。第9A图和第9B图是本 发明之 另一实施例之光纤绕射晶射之构造图。第10A图和 第10B图 是本发明之另一实施例之光纤绕射晶格之构造图 。 |
