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1.一种薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,系包括以下步骤:(a)形成一层金属薄膜于基板表面,将所述金属薄膜制定为闸电极;(b)形成闸介电层于整个基板及闸电极的表面;(c)陆续沉积一层矽薄膜、一层上介电层、以及光阻;(d)对所述上介电层进行均向蚀刻,在其两侧壁形成一由内向外厚度逐渐变薄的倾斜区段;(e)进行离子布植,利用所述上介电层不等厚度的性质,在该上介电层两侧之倾斜区段下方之矽薄膜上分别形成淡搀杂汲极区域,而在该淡搀杂汲极区域以外之矽薄膜上形成该薄膜电晶体的源极/汲极。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,更包含一覆盖保护层在所述源/汲极上并形成接触窗的步骤。3.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述保护层在刚完成沉积时之厚度介于0.8微米到1.2微米之间。4.如申请专利范围第2项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述保护层在刚完成沉积时之最佳厚度为1.0微米。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,所述矽薄膜可为非晶矽或多晶矽。6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,所述上介电层为氮化矽。7.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述上介电层在刚完成沉积时之厚度介于1000埃到3000埃之间。8.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述上介电层在刚完成沉积时之最佳厚度为2000埃。9.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述均向蚀刻所得之倾斜区段,其倾斜角介于15到45之间。10.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述离子布植之植入能量约为10keV到15keV之间。11.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述离子布植之植入剂量则介于5E14到5E15离子/平方公分之间。12.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,其中所述离子布植之最佳植入剂量为1E15离子/平分公分。13.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,在进行所述离子布植后,可接着实施回火。14.如申请专利范围第13项之薄膜电晶体中形成淡掺杂汲极的方法,实施所述回火的目的,在于将离子布植后非晶矽化的矽薄膜,藉着回火的程序将其改变成多晶矽。图式简单说明:图一是习知具LDD结构多晶矽薄膜电晶体制程中,第一道光罩制程的剖面图。图二是习知具LDD结构多晶矽薄膜电晶体制程中,第二道光罩制程的剖面图。图三至图六是本发明具LDD结构多晶矽薄膜电晶体制程的剖面图。图三是形成闸电极,沉积矽薄膜、上介电层及光阻的剖面示意图。图四是将上介电层的两侧边蚀刻成倾斜区段制程的剖面示意图。图五是进行离子布植制程的剖面示意图。图六是形成接触窗的剖面示意图。 |
