| 主权项 |
1.一种形成一电晶体之方法,包含下列步骤:在一基板上形成一闸电极,该基板具有一第一传导系数型式;在该基板中该闸电极之相反的两边形成一源极区域及一汲极区域,该源极区域及该汲极区域具有与该第一传导系数型式相反之第二传导系数型式;及在该源极区域及该汲极区域间形成一非对称通道区域,其中该非对称通道区域与该源极区域邻近处具有一较与该汲极区域邻接处低之该第一传导系数型式之掺杂物浓度。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该非对称通道区域之该步骤包含:在邻接于该汲极区域之该基板中形成一掺杂区域,该掺杂区域具有该第一传导系数型式。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该掺杂区域之掺杂物浓度介于一该基板之掺杂物浓度及一该汲极区域之掺杂物浓度之间。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该形成该掺杂区域之方法包含注入一该第一传导系数型式之掺杂物。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该注入步骤系一有角度之注入。6.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该非对称通道区域之该步骤包含:在邻接于该源极区域之该闸电极之下之该基板之一部分反掺杂该第二传导系数型式之掺杂物。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该基板之该部分为该第一传导系数型式且具有一少于该基板之掺杂物浓度之掺杂物浓度水准。8.一种形成一电晶体之方法,包含下列步骤:在该基板上形成一闸电极;在该闸电极之下形成一非对称通道区域,该非对称通道区域具有一源极侧及一汲极侧,其中该源极侧具有低于该汲极侧之第一传导系数型式之掺杂物浓度;在该通道区域之该源极侧上形成一源极区域及在通道区域之该汲极侧形成一汲极区域,该源极区域及该汲极区域具有一与该第一传导系数型式相反之第二传导系数型式。9.如申请专利范围第8项之方法,其中形成该非对称通道区域之该步骤包含在该汲极侧上形成一邻接于该闸电极之掺杂区域之步骤,该掺杂区域具有该第一传导系数型式。10.如申请专利范围第9项之方法,其中该掺杂区域之掺杂物浓度介于一该基板之掺杂物浓度及一该汲极区域之掺杂物浓度之间。11.如申请专利范围第9项之方法,其中该形成该掺杂区域之方法包含注入一该第一传导系数型式之掺杂物。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该注入步骤系有角度之注入。13.如申请专利范围第8项之方法,其中形成该非对称通道区域之该步骤包含:在邻接于该源极区域之该闸电极之下之该基板之一部分反掺杂该第二传导系数型式之掺杂物。14.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板之该部分为该第一传导系数型式且具有一少于该基板之掺杂物浓度之掺杂物浓度水准。15.一种电晶体,包含:一位于一基板中之第一传导系数型式之源极区域;一位于一基板中之第一传导系数型式之极汲区域;及一位于该源极区域及该汲极区域间之第二传导系数型式非对称通道区域,其中该非对称通道区域与该源极区域邻质处具有一较与该汲极区域邻接处低之该第二传导系数型式之掺杂物浓度。16.如申请专利范围第15项之电晶体,其中该非对称通道区域包含一邻接于该汲极区域之第二传导系数型式之掺杂区域。17.如申请专利范围第16项之电晶体,其中该掺杂区域具有一大于该基板且小于该汲极区域之掺杂物浓度。18.如申请专利范围第15项之电晶体,其中该非对称通道区域包含一邻接于该源极区域之反掺杂区域。图式简单说明:图1为一依照本发明之非对称电晶体之剖面图;图2为一依照本发明之一第一实施例之非对称电晶体之剖面图;图3-6为图2之非对称电晶体在各种建构阶段之剖面图;图7为一习知之装置及图2之非对称电晶体之泄漏电流对驱动电流之图形;图8为一依照本发明之一第二实施例之非对称电晶体之剖面图;及图9-11为图8之非对称电晶体在各种建构阶段之剖面图。 |
