双立式热处理炉

摘要

立式半导体晶片处理炉,包括单外壳,备有:沿第一和第二纵向轴延伸的第1和第2立式加热装置,分别包括构成热处理半导体晶片的第1和第2加热腔的装置;第2与第1立式加热装置在单外壳内非对称地排列,以减小外壳的整个覆盖区;第1和第2晶片支承部件,分别包括轴向地安装所选数量的半导体晶片的第1和第2支承装置;移动装置,沿相应的纵向轴有选择地移动第1和第2支承装置的至少其中之一;和与第1和第2支承装置相连的晶片运送装置,有选择地把半导体晶片送至第1和第2支承装置的至少其中之一或将晶片从该处带走。

主权项

1、立式半导体晶片处理炉，包括单外壳(16)，外壳(16)备有：沿第一纵向轴延伸的第1立式加热装置(12)，包括构成热处理半导体晶片(W)的第1加热腔(46)的装置，沿第二纵向轴延伸的第2立式加热装置(14)，包括构成热处理半导体晶片(W)的第2加热腔(46)的装置；所述第2立式加热装置在所述单外壳内与所述第1立式加热装置非对称地排列，以减小外壳的整个覆盖区；第1晶片支承部件(54)，包括轴向地安装所选数量的半导体晶片的第1支承装置，第2晶片支承组件(54)，包括轴向地安装所选数量的半导体晶片的第2支承装置，移动装置(64)，用于沿所述相应的纵向轴有选择地移动所述第1和第2支承装置的至少其中之一，和与所述第1和第2支承装置相连的晶片运送装置(36)，有选择地把半导体晶片送至所述第1和第2支承装置的至少其中之一或将晶片从该处带走。