半导体器件的接触结构及其制造方法

摘要

一种半导体器件的接触结构包括在接触孔塞上形成腐蚀阻挡层，该腐蚀阻挡层是由不同于上层导电布线的材料制成的，并在刻蚀上层导电布线时起腐蚀停止作用。通过形成接触孔露出半导体基片的构成下层导电布线的扩散区；在接触孔内形成由用于连接的导电层和用于孔塞的导电层构成的接触孔塞；在接触孔塞的上表面形成由不同于上层导电布线的材料制成的腐蚀阻挡层，然后完成上层导电布线的形成而形成接触结构。

主权项

1.一种半导体器件的接触结构，包括：一在半导体器件的半导体基片上所形成的下层导电布线；一在形成下层导电布线后所得到的结构的整个裸露的上表面上形成的用于层间绝缘的绝缘膜；一设置在绝缘膜上的接触孔，该接触孔是通过部分去掉绝缘膜形成的，并通过该孔起到部分暴露下层导电布线的作用；一在接触孔内所形成的用于连接的导电层，它覆盖了接触孔的底表面及从底表面延伸到低于接触孔上缘高度的接触孔侧壁；一用于孔塞的导电层，它被埋入由用于连接的导电层所限定的凹槽内；其特征在于：一在各导电层上选择形成的腐蚀阻挡层，该腐蚀阻挡层的上表面与接触孔的上缘平齐；以及一在腐蚀阻挡层上所形成的上层导电布线。