| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种适于改善有源区的窄宽度效应的制造半导体器件的方法,该方法包括以下步骤:在半导体衬底表面下形成n阱和p阱;形成基层氧化层,使p阱上的厚度厚于n阱上的厚度;在n阱和p阱之间形成场氧化层,使n阱上的鸟嘴小于p阱上的鸟嘴。 | ||
| 申请公布号 | CN1186335A | 申请公布日期 | 1998.07.01 |
| 申请号 | CN97114677.2 | 申请日期 | 1997.07.16 |
| 申请人 | LG半导体株式会社 | 发明人 | 高相基;郑文谟 |
| 分类号 | H01L21/8238 | 主分类号 | H01L21/8238 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底表面下形成n阱和p阱；形成基层氧化层，使p阱上的厚度厚于n阱上的厚度；在n阱和p阱之间形成场氧化层，使n阱上的鸟嘴小于p阱上的鸟嘴。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||