| 发明名称 |
Full feature high density EEPROM cell with poly tunnel spacer and method of manufacture |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0573164(B1) |
申请公布日期 |
1998.07.01 |
| 申请号 |
EP19930303793 |
申请日期 |
1993.05.17 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION |
发明人 |
BERGEMONT,ALBERT |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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